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《寬禁帶NiO薄膜制備及其性質(zhì)研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、學(xué)號：S15010099碩士學(xué)位(畢業(yè))論文寬禁帶NiO薄膜制備及其性質(zhì)研究研究生姓名：周國川學(xué)科、專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)二○一八年六月分類號：TN219密級：可公開UDC：編號：寬禁帶NiO薄膜制備及其性質(zhì)研究STUDYONTHEFABRICATIONANDPROPERTIESOFNiOTHINFILMWITHWIDE-BANDGAP學(xué)位授予單位及代碼：長春理工大學(xué)（10186）學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：電子科學(xué)與技術(shù)（080900）研究方向：光電成像器件與系統(tǒng)申請學(xué)位級別：碩士指導(dǎo)教師：王新教授研究生：周國川論文起止時間：2016.12—2018.4
2、I摘要NiO薄膜是一種新型的寬禁帶透明半導(dǎo)體材料，由于其具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等特性，在電致變色器件、紫外光探測器、存儲器等方面具有廣泛應(yīng)用，近年來吸引了國內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注。要實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)越的NiO基薄膜器件，對NiO材料性質(zhì)的深入研究和制備高性能的NiO薄膜成為器件的關(guān)鍵技術(shù)之一。本論文針對NiO材料性質(zhì)、制備和穩(wěn)定性開展了相關(guān)工作。論文首先使用materialsstudio軟件，通過構(gòu)建相應(yīng)的物理模型，并選取合適參數(shù)對NiO的能帶、結(jié)構(gòu)、光學(xué)等特性進(jìn)行了模擬研究。同時，采用磁控濺射的方法，在石英襯底上制備了NiO薄膜，將NiO性質(zhì)模擬結(jié)果
3、和實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對比，兩者吻合度較高。論文還利用現(xiàn)代化檢測技術(shù)研究了不同濺射功率和氣體比例工藝條件下生長的NiO薄膜材料的結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等特性，給出了相關(guān)規(guī)律。論文還研究了NiO薄膜長期放置后的穩(wěn)定性，著重給出了在中性氣氛、還原氣氛和氧化氣氛中長期放置后的電學(xué)特定，并對其電學(xué)變化的機(jī)理進(jìn)行了研究。關(guān)鍵詞：NiO薄膜materialsstudio軟件射頻磁控濺射薄膜穩(wěn)定性IABSTRACTNiOthinfilmisanewtypeofwide-bandgaptransparentsemiconductormaterial.Due
4、totheexcellentoptical,electricalandmagneticproperties,itcanbewidelyusedinelectrochromicdevices,ultravioletdetectorsandmemory.Recently,moreandmoreattentionwasattractedbydomesticandforeignscholars.ItwasthekeytoinvestigateonthepropertiesofNiOmaterialandfabricationofhighqualityNi
5、OthinfilminordertofabricateNiO-baseddeviceswithhighperformance.Thispaperhascarriedoutrelevantworkontheproperties,thefabricationandstabilityofNiOthinfilms.Firstly,bybuildingcorrespondingphysicalmodelandselectingappropriateparameters,theband,structureandopticalpropertiesofNiOth
6、infilmweresimulatedusingmaterialsstudiosoftware.Meanwhile,NiOfilmswerefabricatedonquartzsubstrateusingRF-magnetronsputteringmethod.Thepropertiesoftheas-grownNiOthinfilmandsimulationresultwerecompared,andthesetworesultswerewellmatched.Thestructure,optical,andelectricalproperti
7、esofNiOthinfilmsgrownunderdifferentsputteringpowerandgasratiowerestudiedbyusingmoderntestingtechnology,andsomeconclusionweregiven.AtlaststudythestabilityofNiOthinfilmafterlong-termstorewerediscussed.TheelectricalpropertiesofNiOthinfilmsespeciallyintheneutralatmosphere,reducin
8、gatmosphereandoxidizingatmospherewereinvestigated,andthestabilitymec
