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《pd-soi器件低頻噪聲特性的研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、暨南大學碩士學位論文題名（中英對照）：PD-SOI器件低頻噪聲特性的研究TheresearchesoflowfrequencynoiseonPD-SOIdevice作者姓名：王凱指導教師姓名及學位、職稱：鄧婉玲副教授學科、專業(yè)名稱：通信與信息系統(tǒng)學位類型：科學學位論文提交日期：2016年論文答辯日期：2016年答辯委員會主席：論文評閱人：學位授予單位和日期：獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)
2、發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得暨南大學或其他教育機構(gòu)的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學位論文作者簽名：簽字日期：年月日學位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學位論文作者完全了解暨南大學有關(guān)保留、使用學位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)暨南大學可以將學位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位論文。（保密的學位論文在解
3、密后適用本授權(quán)書）學位論文作者簽名：導師簽名：簽字日期：年月日簽字日期：年月日學位論文作者畢業(yè)后去向：工作單位：電話：通訊地址：郵編：暨南大學碩士學位論文摘要半導體器件是電子設(shè)備的重要組成部分，其質(zhì)量的好壞、可靠性的高低影響著整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著航空、航天、核電技術(shù)等方面的發(fā)展，半導體器件更多的需要在高溫、高輻射的環(huán)境中工作。若電子系統(tǒng)出現(xiàn)差錯，將造成巨大的經(jīng)濟損失甚至人員的傷亡。為保證半導體器件在高輻射環(huán)境中能有較高的可靠性，對其抗輻射能力和可靠性的篩選手段將是一個重要的課題。傳統(tǒng)的方法就
4、是輻射-退火。這種方法是通過對同一批工藝下半導體器件進行抽樣，然后進行輻照退火得到一個統(tǒng)計規(guī)律。然而這種方法花費大、周期長，且本身就有一定的不確定性。退火后的器件并不一定能恢復到初試性能，并有可能引入新的潛在缺陷。所以，利用低頻噪聲對半導體器件的可靠性表征是目前唯一對半導體器件無損傷的測試方法。本文以SOI器件為例，研究了半導體器件中低頻噪聲特性及參數(shù)提取。具體的研究內(nèi)容如下：1.給出了半導體器件中的低頻噪聲與器件可靠性之間的關(guān)系，基于低頻噪聲的產(chǎn)生機理，通過相關(guān)的數(shù)學計算與分析，可提取相關(guān)的器件
5、參數(shù)。2.基于直接測量法，搭建了一套以Agilent1500為SMU單元，M9018A為頻譜分析儀，Agilent4725A為濾波電路與放大單元的測試系統(tǒng)，該測試系統(tǒng)可用于任何半導體器件的低頻噪聲測量。3.基于部分耗盡結(jié)構(gòu)絕緣體上硅器件，分析了該器件中的低頻噪聲特性，提取了前、背柵氧化層界面附近缺陷態(tài)數(shù)目及空間分布情況?？紤]到接觸電阻及寄生電容對低頻噪聲的影響，本文還考查了溝道長度對低頻噪聲的影響。基于電荷耦合效應，分析了背柵對前柵閾值電壓、溝道電流、噪聲功率譜的影響。綜上所述，本文通過測量部分耗
6、盡結(jié)構(gòu)絕緣體上硅器件低頻噪聲，并做出分析，提取了相關(guān)器件參數(shù)。其研究結(jié)果可為其他半導體器件中的低頻噪聲特性分析提供有力的支持。關(guān)鍵詞：半導體器件；低頻噪聲；可靠性；缺陷態(tài)I暨南大學碩士學位論文AbstractSemiconductoristhemostimportantunitofallelectronicequipment.Itaffectstheperformanceofelectronicequipmentbyqualityandstability.Withthedevelopmentofa
7、viation,aerospaceandnucleartechnology,moreandmoresemiconductordevicesneedtoworkinhightemperatureandhighionizingradiationenvironment.Anydefectsindevicescouldcauseeconomiclosses,evenpersonalsafetyoftechnician.Inordertokeepthedevicesworkwellinionizingrad
8、iationenvironment,themethodstocharacterizethereliabilityandradiationresistanceinsemiconductorshavebecomeanimportantresearchaspect.Thetraditionalmethodsareradiationandannealing.Alsotheyaretime-consumingandexpensive.Inaddition,theperformanceofde
