硅片相關(guān)知識(shí)簡介

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1、硅片相關(guān)知識(shí)簡介硅片相關(guān)知識(shí)簡介（制造工藝、用途）公司設(shè)備簡介公司產(chǎn)品簡介及主要用途說明一、硅片相關(guān)知識(shí)簡介（制造工藝、用途）固體材料半導(dǎo)體材料概論名詞解釋硅單晶制備硅片制造固體材料原子排列的方式稱為固體的結(jié)構(gòu)。固體材料分為三大類：晶體、非晶體和準(zhǔn)晶體。理想晶體中原子排列是十分有規(guī)則的，主要體現(xiàn)是原子排列具有周期性，或者稱為是長程有序的。晶體：Cu、Ag、Ge、Si、金屬、C非晶體：玻璃、石蠟、瀝青、塑料等，內(nèi)部原子的排列則是雜亂無章、長程無序的。準(zhǔn)晶體是最近發(fā)現(xiàn)的一類新物質(zhì)，其內(nèi)部原子排列既不同于晶體，也不同于非晶體

2、。半導(dǎo)體材料概論物質(zhì)就其導(dǎo)電性質(zhì)來說，可分為絕緣體，半導(dǎo)體和導(dǎo)體。電阻率大于1010歐姆?厘米者為絕緣體，小于10-3歐姆?厘米者為導(dǎo)體電阻率介于10-3---1010歐姆?厘米的稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料電阻率不同于導(dǎo)體和絕緣體外，它還具有在光和熱的作用下，能使電子激發(fā)，從而使導(dǎo)電性顯著增加的熱敏性，光敏性以及對(duì)雜質(zhì)的敏感性等特點(diǎn)。半導(dǎo)體材料分為：1、元素半導(dǎo)體：如硅，鍺，硒等；2、二元化合物半導(dǎo)體：如GaAs(主要用于制作超高速電路，微波器件等)，InSb（主要用于制作紅外器件）,PbS（主要用于制作熱敏器件），β-S

3、iC(主要用于制作發(fā)光管)；3、三元化合物半導(dǎo)體：如GaAsAl(主要用于制作發(fā)光管)；4、固容體半導(dǎo)體：如GaAs-GaP(主要用于制作發(fā)光二極管)。固容體半導(dǎo)體是元素半導(dǎo)體或無機(jī)化合物半導(dǎo)體相互溶解而成的半導(dǎo)體材料。Si的介紹元素符號(hào)Si，原子序數(shù)14，原子量28.086，位于第三周期第ⅣA族，共價(jià)半徑117皮米，離子半徑42皮米。有晶體和無定形兩種同素異形體。晶體硅呈銀灰色，有明顯的金屬光澤、晶格和金剛石相同，硬而脆，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不如金屬且隨溫度的升高而增加，屬半導(dǎo)體。密度2.33克/厘米3，熔點(diǎn)1420℃，

4、沸點(diǎn)2355℃，硬度7。低溫時(shí)單質(zhì)硅不活潑，不跟空氣、水和酸反應(yīng)。室溫下表面被氧化形成1000皮米二氧化硅保護(hù)膜。高溫時(shí)能跟所有鹵素反應(yīng)，生成四鹵化硅，跟氧氣在700℃以上時(shí)燃燒生成二氧化硅。跟氯化氫氣在500℃時(shí)反應(yīng)，生成三氯氫硅SiHCl3和氫氣。高溫下能跟某些金屬(鎂、鈣、鐵、鉑等)反應(yīng)，生成硅化物。硅片厚度：硅片正反面中心點(diǎn)的垂直距離為硅片的厚度，以δ來表示。表示厚度的常用單位是um，1mm=103um。名詞解釋1晶體缺陷：原子偏離理想晶格中有規(guī)則的排列，這種偏離，嚴(yán)重影響晶體的力學(xué)、電學(xué)和其他特性。2晶體缺陷

5、種類：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷3線缺陷又叫位錯(cuò)，有兩種基本類型，刃型位錯(cuò)、螺型位錯(cuò)，實(shí)際晶體中的位錯(cuò)既不是單純的螺位錯(cuò)，也不是刃型位錯(cuò)，是他們的混合形式，故稱之為混合位錯(cuò)。同一晶體中不同平面上符號(hào)相刃型位錯(cuò)模型反的兩根刃位錯(cuò)的二維模型位錯(cuò)的檢測方法腐蝕坑法<111>晶面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)三角形，<100>晶面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈四方形。螺型位錯(cuò)模型4本征半導(dǎo)體：晶格完整且不含雜質(zhì)的單晶半導(dǎo)體，其中參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)目相等。5載流子：固體中一種能傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如：半導(dǎo)體中的導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。6

6、載流子濃度：單位體積的載流子數(shù)目。7多數(shù)載流子：大于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的空穴。8少數(shù)載流子：小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。9N型半導(dǎo)體：多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體：多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。10我們公司用X射線衍射定向法測定晶向。在粘接時(shí)主要用到的設(shè)備是定向儀、粘接儀、復(fù)檢儀。11解理面：晶體受到機(jī)械力作用時(shí)，沿晶體結(jié)構(gòu)所確定的某一晶面劈裂，這種劈裂面稱為解理面。12總厚度變化（TTV）：在厚度掃描或一系列點(diǎn)的厚度測量中，所測晶片的最大厚度與最小厚度

7、的絕對(duì)差值。13中心面：與晶片的正面和背面等距離的點(diǎn)的軌跡。14彎曲度(Bow)：晶片中心面凹凸形變的一種度量，它與晶片可能存在的任何厚度變化無關(guān)。彎曲度是晶片的一種體性質(zhì)而不是表面特性。15翹曲度(Warp)：晶片中心面與基準(zhǔn)平面之間的最大與最小距離的差值。翹曲度是晶片的體性質(zhì)而不是其表面特性。16平整度：晶片表面與基準(zhǔn)平面之間最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的差值。正面中心面背面24崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由徑向深度和周邊旋長給出。25缺口：上下貫穿晶片邊緣的缺損。26刀痕:晶錠切

8、割時(shí)，在晶片表面留下的圓弧裝痕跡。27亮點(diǎn)：硅片研磨或拋光后，表面上殘留下來一些孤立的機(jī)械損傷點(diǎn)，呈現(xiàn)為由可觀察到的孤立的小亮點(diǎn)。硅單晶制造高純硅制備高純硅的制備一般首先由硅石（SiO）制得工業(yè)硅（粗硅），2再制成高純的多晶硅，最后拉制成半導(dǎo)體材料單晶硅。工業(yè)粗硅是用硅石（SiO）和焦碳以一定比例混合，在電爐中2加熱至1600-1