X射線粉末衍射法

X射線粉末衍射法

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1、實(shí)驗(yàn)五χ射線粉末衍射法測(cè)定藥物的多晶型一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.熟悉χ-射線粉末衍射法確定藥物多晶型的基本原理與方法2.掌握x-射線粉末衍射圖譜的分析與處理方法二、基本原理χ-射線衍射是研究藥物多晶型的主要手段之一,它有單晶法和粉末χ-射線衍射法兩種??捎糜趨^(qū)別晶態(tài)與非晶態(tài)、混合物與化合物。可通過給出晶胞參數(shù),如原子間距離、環(huán)平面距離、雙面夾角等確定藥物晶型與結(jié)構(gòu)。粉末法研究的對(duì)象不是單晶體,而是許多取向隨機(jī)的小晶體的總和。此法準(zhǔn)確度高,分辨能力強(qiáng)。每一種晶體的粉末圖譜,幾乎同人的指紋一樣,其衍射線的分布位置和強(qiáng)度有著特征性規(guī)律,因而成為物相鑒定的基礎(chǔ)。它在藥

2、物多晶的定性與定量方面都起著決定性作用。當(dāng)χ-射線(電磁波)射入晶體后,在晶體內(nèi)產(chǎn)生周期性變化的電磁場(chǎng),迫使晶體內(nèi)原子中的電子和原子核跟著發(fā)生周期振動(dòng)。原子核的這種振動(dòng)比電子要弱得多,所以可忽略不記。振動(dòng)的電子就成為一個(gè)新的發(fā)射電磁波波源,以球面波方式往各個(gè)方向散發(fā)出頻率相同的電磁波,入射χ-射線雖按一定方向射入晶體,但和晶體內(nèi)電子發(fā)生作用后,就由電子向各個(gè)方向發(fā)射射線。當(dāng)波長為λ的χ-射線射到這族平面點(diǎn)陣時(shí),每一個(gè)平面陣都對(duì)χ-射線產(chǎn)生散射,如圖5-1。圖5-1晶體的Bragg-衍射先考慮任一平面點(diǎn)陣1對(duì)χ-射線的散射作用:χ-射線射到同一點(diǎn)陣平面

3、的點(diǎn)陣點(diǎn)上,如果入射的χ-射線與點(diǎn)陣平面的交角為θ,而散射線在相當(dāng)于平面鏡反射方向上的交角也是θ,則射到相鄰兩個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)上的入射線和散射線所經(jīng)過的光程相等,即PP'=QQ'=RR'。根據(jù)光的干涉原理,它互相加強(qiáng),并且入射線、散射線和點(diǎn)陣平面的法線在同一平面上。再考慮整個(gè)平面點(diǎn)陣族對(duì)χ-射線的作用:相鄰兩個(gè)平面點(diǎn)陣間的間距為d,射到面1和面2上的χ-射線的光程差為CB+BD,而CB=BD=dsinθ33,即相鄰兩個(gè)點(diǎn)陣平面上光程差為2dsinθ。根據(jù)衍射條件,光程差必須是波長λ的整數(shù)倍才能產(chǎn)生衍射,這樣就得到χ-射線衍射(或Bragg衍射)基本公式:2d

4、sinθ=nλ(5-1)θ為衍射角或Bragg角,隨n不同而異,n是1,2,3……等整數(shù)。以粉末為樣品,以測(cè)得的χ-射線的衍射強(qiáng)度(I)與最強(qiáng)衍射峰的強(qiáng)度(I0)的比值(I/I0)為縱坐標(biāo),以2θ為橫坐標(biāo)所表示的圖譜為粉末χ-射線衍射圖。通常從衍射峰位置(2θ),晶面間距(d)及衍射峰強(qiáng)度比(I/I0)可得到樣品的晶型變化、結(jié)晶度、晶體狀態(tài)及有無混晶等信息。χ-射線粉末計(jì)數(shù)管衍射儀如圖5-2。c圖5-2計(jì)數(shù)管衍射儀S-樣品架;C-計(jì)數(shù)器;R-記錄儀;P-測(cè)角圓臺(tái);A-放大器χ-射線衍射儀法是將樣品裝在測(cè)角圓臺(tái)P中心架上,圓臺(tái)的圓周邊裝有χ-射線計(jì)數(shù)管

5、C,以接受來自樣品的衍射線,并將衍射轉(zhuǎn)變成電信號(hào)后,再經(jīng)放大器放大,輸入記錄器記錄。用衍射儀法測(cè)定樣品衍射數(shù)據(jù)時(shí),需注意樣品粉末的細(xì)度(約為微米),研磨過篩時(shí)特別要注意觀察試樣是否有變化。例:尼莫地平(nimodipine,NMD)的兩種多晶型分別為NMDⅠ與NMDⅡ,其粉末χ-射線衍射測(cè)定如下:工作條件:Cu-Kα靶,λ=0.154nm石墨單色器衍射束單色比,高壓50KV,管流1000A,放大倍數(shù)6,掃描速度2°/min,NMDⅠ、NMDⅡ的衍射結(jié)果、相對(duì)強(qiáng)度見圖5-3、表5-1。332θ2θ圖5-3尼莫地平χ-射線衍射圖譜可見,χ-射線衍射線分布

6、位置和強(qiáng)度有著特征性的規(guī)律,選擇各晶型8個(gè)強(qiáng)峰進(jìn)行比較,如表5-1。表5-1尼莫地平多晶型的χ-射線衍射峰數(shù)據(jù)多晶型衍射峰位置與強(qiáng)度12345678NMD(Ⅰ)2θ6.52520.24812.84117.34224.75519.66012.30526.316I/I0(%)100.084.1067.1057.4044.7038.1036.4032.20NMD(Ⅱ)2θ15.20620.46316.66811.92319.38917.73421.63826.870I/I0(%)100.013.8013.8012.108.607.307.106.90三、樣

7、品制備與測(cè)試條件樣品制備取一定量的樣品,在瑪瑙乳缽中研磨一定時(shí)間。甲苯咪唑Ⅰ型(B)研磨5分鐘甲苯咪唑Ⅱ型(C)研磨10分鐘(藥用型)甲苯咪唑Ⅲ型(A)研磨15分鐘測(cè)試條件χ射線管:Cu-Kα靶Ni濾波單色標(biāo)識(shí)χ射線波長:1.54051?管壓:30KV管電流:16mA掃描角度:3°~50°掃描速度:4°/min33測(cè)試樣品用晶體粉末,如圖5-2所示。四、數(shù)據(jù)處理甲苯咪唑(A、B、C晶型)x射線粉末衍射圖譜見附圖。1、首先確定衍射圖譜中八條譜線,并依強(qiáng)弱順序編號(hào)為1~8,然后再用格尺分別量出它們的高度(即為衍射強(qiáng)度)。2、以各圖譜中1號(hào)衍射峰高度為I0

8、,然后分別求出其它衍射峰高度與1號(hào)衍射峰的比值,即Ii/I0(i=2~8)。3、由衍射峰頂所對(duì)應(yīng)的2θ求出s

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