激光剝蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定碳化硅器件中雜質(zhì)元素.pdf

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1、第42卷分析化學(xué)(FENXIHUAXUE)研究簡報(bào)第1期2014年1月ChineseJoumalofAnalyticalChemistry123~126DOI:10.3724/SP.J.1096.2014.30698激光剝蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定碳化硅器件中雜質(zhì)元素周慧汪正朱燕李青陳奕睿屈海云鄒慧君杜一平胡慧廉(上海市功能性材料化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,華東理工大學(xué),上海200237)(中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,上海200050)摘要采用激光剝蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜法(LA—ICP—MS),以NIST玻璃標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)制作校準(zhǔn)曲線,si為內(nèi)標(biāo),相對靈敏度因子(RSF)校準(zhǔn)標(biāo)樣和樣品間的基體效應(yīng),對碳化

2、硅陶瓷器件中9種痕量元素(B,Ti,Cr,Mn,F(xiàn)e和M等)進(jìn)行定量測定。選擇線性掃描方式,激光剝蝕孔徑為150txm,氦氣和氬氣流量為0.7L/min時,信號穩(wěn)定性和靈敏度最佳。經(jīng)內(nèi)標(biāo)校準(zhǔn)后,各元素標(biāo)準(zhǔn)曲線的線性有較大改善,線性相關(guān)系數(shù)為0.9981~0.9999。以建立的方法對碳化硅標(biāo)準(zhǔn)參考物質(zhì)(BAM—S003)中的痕量元素進(jìn)行測定,并與標(biāo)準(zhǔn)參考值進(jìn)行對比,結(jié)果一致,證實(shí)了LA.ICP.MS方法應(yīng)用于碳化硅樣品檢測的準(zhǔn)確性和有效性。采用本方法定量測定碳化硅器件中痕量元素,結(jié)果與輝光放電質(zhì)譜法(GD—MS)測定的結(jié)果比較一致。元素B,Ti,Cr,Mn,F(xiàn)e,M,cu,sr和La的檢出限為

3、0.004~0.08mg/kg,相對標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)小于5%。關(guān)鍵詞激光剝蝕;電感耦合等離子體質(zhì)譜;碳化硅1引言碳化硅(SiC)陶瓷具有高溫強(qiáng)度大、硬度高、耐腐蝕性強(qiáng)、熱穩(wěn)定性佳、耐磨性好等優(yōu)良特性,在許多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。痕量元素的含量及分布對碳化硅材料的性能有很大影響?,因此測定碳化硅中微量元素對控制其質(zhì)量具有重要意義。添加氧化鋁和氧化釔的碳化硅經(jīng)2000oC燒結(jié)后器件,具有尺寸大、密度和強(qiáng)度高、致密性好等特點(diǎn)。此類碳化硅器件難于制備成粉末,對酸和堿有強(qiáng)的抵抗力,難以消解成溶液,常規(guī)的分析手段無能為力。因此,亟需發(fā)展新的分析技術(shù)或方法。激光剝蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜法(LA.ICP.MS

4、)作為一種固體直接進(jìn)樣和微區(qū)分析技術(shù),廣泛應(yīng)用于地質(zhì)]、金屬,、生物]、司法和晶體中元素含量和分布分析。然而校準(zhǔn)方法一直是IJA—ICP—MS面臨的最大挑戰(zhàn)之一,另外基體效應(yīng)和元素的分餾效應(yīng)是影響分析結(jié)果準(zhǔn)確性和精確性的重要因素。LA—ICP.MS應(yīng)用于陶瓷樣品分析的文獻(xiàn)較少,僅有幾篇工作報(bào)道應(yīng)用于氮化硅_1和碳化硅”分析。如Baker等采用溶液校準(zhǔn),測定氮化硅中痕量元素,由于溶液標(biāo)樣與固體樣品的基體差異,影響分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。Klemm等利用LA.ICP.MS監(jiān)測碳化硅晶體在生長過程中元素AJ,V,w和rra的含量變化。Hoffmann等_1向碳化硅粉末中加標(biāo)準(zhǔn)溶液,以碳為粘合劑,制備成標(biāo)

5、準(zhǔn)樣品作為校準(zhǔn)曲線,測定了碳化硅單晶中Al,Ti,V,Mn,F(xiàn)e和cu含量,不同剝蝕坑各元素濃度相差17%~30%。本實(shí)驗(yàn)對激光剝蝕和電感耦合等離子體質(zhì)譜的條件進(jìn)行了優(yōu)化,采用玻璃標(biāo)樣為外標(biāo),si為內(nèi)標(biāo),使用相對靈敏度因子校正基體效應(yīng),對碳化硅陶瓷器件進(jìn)行了測定,獲得較為滿意結(jié)果。2實(shí)驗(yàn)部分2.1儀器與試劑本實(shí)驗(yàn)采用LSX一213Nd:YAG激光系統(tǒng)(美國Cetac公司),5倍頻產(chǎn)生紫外波長213nm及ThermoXseriesI1四極桿ICP—MS(美國ThermoFisher公司)。輝光放電質(zhì)譜(dc—GD—MS,英國ThermoElemen—tal公司)。LA.ICP—MS優(yōu)化后的主要

6、參數(shù)見表1。2013-07—19收稿;2013-09—18接受本文系中國科學(xué)院儀器設(shè)備功能開發(fā)技術(shù)創(chuàng)新項(xiàng)目(No.Y27YQ3120G)和上海硅酸鹽研究所所創(chuàng)新重點(diǎn)項(xiàng)目資助E-mail:wangzheng@mail.sic.a(chǎn)c.ca124分析化學(xué)第42卷表1優(yōu)化的儀器參數(shù)Table1Optimalparametersofinstrument激光系統(tǒng)參數(shù)數(shù)值ICP.MS工作參數(shù)數(shù)值Parametersoflaserablation(LA)ValueParametersofICP—MSValue激光波長Laserwavelength(nm)213射頻功率RFpower(W)1400激光能量La

7、serenergy(%)4O采樣深度Samplingdepth(step/mm)150脈沖頻率Laserfrequency(Hz)20冷卻氣流量Coolinggas(L/min)15.0剝蝕孔徑Ablmionspotsize(Ixm)150信號采集方式Signalacquisitionmode時間分辨(TRA)掃描速率Scanrate(Ixm/元素的同位素¨B,Al,。Si,47Ti,53Cr,55Mn,s6

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