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《一種聚醚砜中空纖維納濾膜的制備方法和用途（CN103551047）-論文.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應用文檔-天天文庫。
1、2014年2周孫達等饅￡基雜化材料包蓬多壁碳納米管制鬻核殼型納米雜化材料料的熱失重曲線如圖4所示。由圖4可以看出，雜ymercompositesandnanocomposites[J]．ProgPolymSci，2012，37(6)：781—819．化材料呈現(xiàn)出不同的熱失重比例。包覆厚度較薄的[5]孫敏強，朱忠澤，李星瑋，等．磺化碳納米管改性聚苯胺復合材PMMA—POSS／MWNT雜化材料熱失重在10％左右，料的合成與超級電容特性[J]．ActaPolymericaSinica，2011，當包覆厚度達到15～25nm時，由于表面包覆上的(6)
2、：639—644．PMMA—POSS較厚，此時的熱失重已達到了30％。[6]ZhangJ，LeeJK，WuY．Photolandelectronicinterac．tionofanthracenederivativesadsorbedonsidewallsofsingle—當單體用量為15倍時，由于單體用量太大，體系出walledcarbonnanotubes[J]．NanoLetters，2003，3(3)：403一現(xiàn)交聯(lián)現(xiàn)象，其熱失重與純PMMA—POSS相比還要407．略高一些。[7]KongH，GaoC，YanDY．Controlle
3、dfunctionalizationofmulti—基于上述實驗可以推知如下反應機理：引發(fā)劑walledcarbonnanotubesbyinsituatomtransferradicalpolymeri—分解產(chǎn)生自由基與碳納米管相互作用形成碳管自由zation[JJ．JAmChemSoc，2004，126(2)：412—413．[8]ZhaoXD，F(xiàn)anXH，ChenXF．Surfacemodificationofmuhiwalled基，引發(fā)單體在碳管表面的聚合反應實現(xiàn)對碳納米carbonnanotubcsvianitroxide—medi
4、atedradicalpolymerization管的包覆。由于引發(fā)劑的用量是依據(jù)單體添加的，[J]．JPolymSci：PartA，2006，44(15)：4656—4667．當單體添加量增大時，引發(fā)劑用量也增大，產(chǎn)生的自[9]李洪勝，馮青平，高彥芳，等．聚合物對多壁碳納米管的包覆改由基數(shù)量就增大，單體的自聚幾率也增大，因此當單性研究[J]．ActaPolymericaSinica，2006，(4)：588—592．[1O]xuY，LiQ，SunD，eta1．Astrategytofunctionalizethecarbon體添加量增大時，
5、包覆效果下降，產(chǎn)生嚴重的交聯(lián)等nanotubesandthenanocompositesbasedonpoly(1-1actide)[J]．現(xiàn)象。IndEngChemRes，2012，51(42)：13648—13654．[11]ChenGX，ShimizuH．MuhiwalledCNTsgraftedwithpolyhedralol—3結(jié)論igomericsilsesquioxaneanditsdispersioninpoly(L-lactide)matrix[J]．Polymer，2008，49(4)：943—951．利用自由基引發(fā)劑過氧
6、化苯甲酰(BPO)引發(fā)帶[12]ChenGX，KimHS，ParkBH，eta1．Controlledfunctionalizationof有雙鍵的八甲基丙烯酸酯基籠型倍半硅氧烷包覆多muhiwalledcarbonnanotubeswithvariousmolecular-weightpoly壁碳納米管制備新型核一殼納米雜化材料，并對材(L-lacticacid)[J]．JPhysChemB，2005，109(47)：22237—料進行了一系列的表征。通過研究成功得到了不同22243．[13]ChenGX，MiyauchiM，Shimizu
7、H．UV—Inducedsurfaceelectrical厚度mma—poss的核殼型多壁碳納米管復合材料，conductivityjumpofpolymernanocomposites[J]．ApplPhysLett，包覆層的厚度從5～10nm到l5～25nm可調(diào)；所得2008，92(2O)，203113—203115．到的雜化材料在常見有機溶劑中均能夠形成穩(wěn)定的[14]ChenGX，KimHS，YoonJS．Highlyinsulatingsiliconecompos-分散體系，同時表面包覆的PMMA—POSS上還殘余iteswithah
8、Jghcarbonnanotubecontent[J]．Carbon，2006，44有未參加反應的C—C雙鍵，可以為下一步改性所(15)：3373—3375．[15
