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《超聲霧化熱解法制備zno薄膜結構及其性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、摘要氧化镩是一種多閔途的Ⅱ．Ⅵ族寬蔡帶半導體材料。傳統(tǒng)上，ZnO薄膜被廣泛應用予太陽能電池、聲表面波器l牛、壓敏器件、逶明導電電極等領域。近顰來，ZnO露為鼴禁帶半導侮零孝辯懿硪究麓寒蓮受至§入翻約重視。秘GaN耨范，ZnO薄膜具脊生長溫度低，激子復合能i鏹(ZnO：60meV,GaN：21—25meV)，有可能安現(xiàn)室溫下較強的紫外受激發(fā)射，制各出性能較好的探測器、發(fā)光二極管和激光二極警等光墩子器籜。ZnO瓣輻翦波長其有魄CmN翡藍光發(fā)葑囂矮，對增熱巍記錄密度具肖熏要意義。目前，有關氧化鋅的研究集中在氧化鋅的紫外光發(fā)射和可見光發(fā)光槐制方藤。對予可見光發(fā)光機镥嵋前尚炙統(tǒng)
2、一認識。本文綜述了ZnO薄膜靜各韓壘長技術及其簸理，莠穰括了ZnO薄貘耢究的最新進展。利用自制的超聲霧化熱解沉積技術生長了具有c軸擇優(yōu)取向的多品ZnO薄膜，并利用x射線衍射儀卿)、掃描峨子最微鏡(SEM)、原子力鼴微鏡(AFM)、紫鄉(xiāng)}一霹覓必光譜鉸COV-VisabsorptionSpectrometer)、熒競競譜儀(PLSpectrometer)等測試手段，對ZnO薄膜的結構和憾能進行表鏹。研究了各謄長條件，皴前驅物溶液濃發(fā)、襯底溫度、沉積時間、邋火處理和摻雜濃度對ZnO薄膜結秘釉往麓煞影璃。實驗甓采襲鞠，蘺驅麓濃度增熱有耱予鍘備C轆取向生長的ZnO薄膜：400
3、℃時，沉積出黼質量C軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜，在氧氣氣氛下退火溫度為600℃時，得到的游膜結晶性較好；而且，摻雜濃度增加譽測予ZnO薄貘豹取淘生長。受激發(fā)射巍激發(fā)先結粟襲疆，樣品在6∞℃退火辯390rim紫外發(fā)射最強，同時觀察到強度較弱的可見光發(fā)光帶。實驗迸發(fā)現(xiàn)，退火氣氛可明顯改變ZnO的本綴瀾缺陷發(fā)光，可見發(fā)光枧鐿《探討中，蘸綠發(fā)光的主鬟懸由氧空位域鋅填踩等缺麓弓l起靜。關鍵詡ZnO薄膜；超聲霧化熱瓣；受激發(fā)射；光致發(fā)光AbstractZnOisaII-VIsemiconductormaterialwithwideband-gap，widelyusedinmanyar
4、eas．Traditionally，ZnOthinfilmswereappliedinwavedevice，gassensor，transparentelectrodes，andSOon．Recently,ZnOhasgainedmoreandmoreattentionintheoptoelectronicfieldofUVdetector,Lightdisplayetc．ComparedtoGaN(25emV)，high-qualityZnOwithahigherbindingenergyof60meVCanbesynthesizedatmuchlowertempe
5、rature，whichpromisesstrongphotoluminescencefromboundexcitonicemissionatroomtemperature．UptOnow,thevisibleemissionandultravioletlasingemissionofZnOhavebeenthesubjectofmuchresearch．Inthispaper,thevariousgrowthtechniques，applications，andtheuptodateprogressesintheresearchofZnOarereviewed．C-
6、axisorientedpolycrystallineZnOthinfilmswerepreparedbyself-madeUltrasonicSprayPyrolysisdepositiontechnique．ThestrucRkreandpropertiesofthefilmswerecharacterizedbyXRD，SEM，AFM；UV二ⅥSAbsorptionandPL．etc．Thee腧ctsofgrowthparametersonthequalityofZnOfilmsalediscussed，suchassolutionconcentration，s
7、ubstratetemperature，depositiontime，annealingtemperatureanddopingconcentration．Astheresultsshown，heavysolutionconcentrationandlowdopingconcentrationareadvantageoustogrowC-axisorientedZnOthinfilms；highorientedZnOthinfilmshavebeendepositedat400"(2，andthecrystallineoffilmsbecomebet
