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《超聲霧化熱解法制備zno薄膜結(jié)構(gòu)及其性能研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、摘要氧化镩是一種多閔途的Ⅱ．Ⅵ族寬蔡帶半導(dǎo)體材料。傳統(tǒng)上，ZnO薄膜被廣泛應(yīng)用予太陽(yáng)能電池、聲表面波器l牛、壓敏器件、逶明導(dǎo)電電極等領(lǐng)域。近顰來(lái)，ZnO露為鼴禁帶半導(dǎo)侮零孝辯懿硪究麓寒蓮受至§入翻約重視。秘GaN耨范，ZnO薄膜具脊生長(zhǎng)溫度低，激子復(fù)合能i鏹(ZnO：60meV,GaN：21—25meV)，有可能安現(xiàn)室溫下較強(qiáng)的紫外受激發(fā)射，制各出性能較好的探測(cè)器、發(fā)光二極管和激光二極警等光墩子器籜。ZnO瓣輻翦波長(zhǎng)其有魄CmN翡藍(lán)光發(fā)葑囂矮，對(duì)增熱巍記錄密度具肖熏要意義。目前，有關(guān)氧化鋅的研究集中在氧化鋅的紫外光發(fā)射和可見(jiàn)光發(fā)光槐制方藤。對(duì)予可見(jiàn)光發(fā)光機(jī)镥嵋前尚炙統(tǒng)
2、一認(rèn)識(shí)。本文綜述了ZnO薄膜靜各韓壘長(zhǎng)技術(shù)及其簸理，莠穰括了ZnO薄貘耢究的最新進(jìn)展。利用自制的超聲霧化熱解沉積技術(shù)生長(zhǎng)了具有c軸擇優(yōu)取向的多品ZnO薄膜，并利用x射線衍射儀卿)、掃描峨子最微鏡(SEM)、原子力鼴微鏡(AFM)、紫鄉(xiāng)}一霹覓必光譜鉸COV-VisabsorptionSpectrometer)、熒競(jìng)競(jìng)譜儀(PLSpectrometer)等測(cè)試手段，對(duì)ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和憾能進(jìn)行表鏹。研究了各謄長(zhǎng)條件，皴前驅(qū)物溶液濃發(fā)、襯底溫度、沉積時(shí)間、邋火處理和摻雜濃度對(duì)ZnO薄膜結(jié)秘釉往麓煞影璃。實(shí)驗(yàn)甓采襲鞠，蘺驅(qū)麓濃度增熱有耱予鍘備C轆取向生長(zhǎng)的ZnO薄膜：400
3、℃時(shí)，沉積出黼質(zhì)量C軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜，在氧氣氣氛下退火溫度為600℃時(shí)，得到的游膜結(jié)晶性較好；而且，摻雜濃度增加譽(yù)測(cè)予ZnO薄貘豹取淘生長(zhǎng)。受激發(fā)射巍激發(fā)先結(jié)粟襲疆，樣品在6∞℃退火辯390rim紫外發(fā)射最強(qiáng)，同時(shí)觀察到強(qiáng)度較弱的可見(jiàn)光發(fā)光帶。實(shí)驗(yàn)迸發(fā)現(xiàn)，退火氣氛可明顯改變ZnO的本綴瀾缺陷發(fā)光，可見(jiàn)發(fā)光枧鐿《探討中，蘸綠發(fā)光的主鬟懸由氧空位域鋅填踩等缺麓弓l起靜。關(guān)鍵詡ZnO薄膜；超聲霧化熱瓣；受激發(fā)射；光致發(fā)光AbstractZnOisaII-VIsemiconductormaterialwithwideband-gap，widelyusedinmanyar
4、eas．Traditionally，ZnOthinfilmswereappliedinwavedevice，gassensor，transparentelectrodes，andSOon．Recently,ZnOhasgainedmoreandmoreattentionintheoptoelectronicfieldofUVdetector,Lightdisplayetc．ComparedtoGaN(25emV)，high-qualityZnOwithahigherbindingenergyof60meVCanbesynthesizedatmuchlowertempe
5、rature，whichpromisesstrongphotoluminescencefromboundexcitonicemissionatroomtemperature．UptOnow,thevisibleemissionandultravioletlasingemissionofZnOhavebeenthesubjectofmuchresearch．Inthispaper,thevariousgrowthtechniques，applications，andtheuptodateprogressesintheresearchofZnOarereviewed．C-
6、axisorientedpolycrystallineZnOthinfilmswerepreparedbyself-madeUltrasonicSprayPyrolysisdepositiontechnique．ThestrucRkreandpropertiesofthefilmswerecharacterizedbyXRD，SEM，AFM；UV二ⅥSAbsorptionandPL．etc．Thee腧ctsofgrowthparametersonthequalityofZnOfilmsalediscussed，suchassolutionconcentration，s
7、ubstratetemperature，depositiontime，annealingtemperatureanddopingconcentration．Astheresultsshown，heavysolutionconcentrationandlowdopingconcentrationareadvantageoustogrowC-axisorientedZnOthinfilms；highorientedZnOthinfilmshavebeendepositedat400"(2，andthecrystallineoffilmsbecomebet
