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《中波紅外激光器外延材料的生長研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、長春理工大學(xué)碩士(或博士)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士(或博士)學(xué)位論文，《光纖耦合模塊的熱特性分析與封裝技術(shù)研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：雄絲年1月翌日長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定"，同意長春理工大學(xué)保留并向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)
2、據(jù)庫和CNKI系列數(shù)據(jù)庫及其它國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名：數(shù)2墮年三月坦日導(dǎo)師簽名：蟬蘭墜三月生日摘要2-5}lm中紅外譜線波段是非常重要的大氣窗口。它可以應(yīng)用在氣體檢測、環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)和生物探測、醫(yī)學(xué)分析等方面。在軍事領(lǐng)域，該波段的激光器還可應(yīng)用在激光雷達和光電對抗等方面。本論文圍繞銻化物激光器開展了對銻化物材料的理論計算和銻化物量子阱結(jié)構(gòu)的模擬與設(shè)計、分子束外延生長以及激光器器件開展了一些列研究。主要
3、內(nèi)容如下：(1)．簡單介紹了中紅外波段激光器在民用和軍用方面的應(yīng)用及其前景，并且闡述了半導(dǎo)體激光器的研究進展和國內(nèi)外現(xiàn)狀，重點介紹了銻化物半導(dǎo)體激光器的研究進展和國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。(2)．對材料的基本參數(shù)進行理論計算，為量子阱的設(shè)計做理論基礎(chǔ)。(3)．對2．0阻n和2．3“m的量子阱進行理論計算、通過計算的結(jié)果來優(yōu)化量子阱結(jié)構(gòu)的設(shè)計參數(shù)，包括應(yīng)變、阱寬；并且討論長波長量子阱的設(shè)計和波導(dǎo)理論。(4)．介紹外延生長設(shè)備和步驟，研究量子阱的生長條件，通過測試設(shè)備優(yōu)化了生長溫度。(5)．設(shè)計了2．0um銻化物激光器的結(jié)構(gòu)，得到I．V特性曲線、激射譜線，使理論設(shè)計的結(jié)果通過實驗得到證實。關(guān)鍵詞：
4、銻化物外延生長量子阱ABSTRACTm2to5pmmid-infraredspectralregionhavehighvaluesandrequirements，itCallbeusefulinmanykindsofapplicationswhichincludinginfi'aredillpmination，medicaldiagnosticsandtreatment，chemicalandeventhoughintheareaofbiologicalspectralanalyze．2—5lxrninfraredsemiconductorlaserdiodesusedonlidar
5、andoptoelectroniccountermeasure．Inthisthesis,worksarefocusedonthecalculationofmaterialparameters，MBEgrowthof2．Olmaand2．3岬antimonidequanqxmwells．11lemainresearchandachievementsarelistedasthefollowing：(1)．Introduce2-5prosemiconductorlaserapplicationsforgasmonitor，lidarandoptoelectroniccountermeas
6、ure．Informationsintroducedtofocusonantimonidesemiconductorlaser．(2)．CalculationbasicparametersofmaterialanddesignparametersofQWs．(3)．Simulatecalculationof2．Opmand2．31maQWsandoptimizeparametersofQWs，theparametersarestrainandwellswidth，discusslongwaveQWsandtheoryofWaveguide．(4)．IntroduceMBEandtes
7、tequipmentofmaterials，optimizesubstratetemperatureandresearchgrowthconditionofQWs．(5)．Design2．01amantimonideofQWslaser,testtheemittingspectralandI-Vcurve，thetheorysimulationofQWsareconfirmed．Keywords：釧H6H蛐池mokmarbmmQWs(quantumwell
