一種憶阻器的分數(shù)階模型及其應用研究

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5、e：WuYuxinMajor：CircuitandSystemSupervisor：Prof.GanZhaohuiWuhanUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430081,P.R.ChinaMay,2016武漢科技大學研究生學位論文創(chuàng)新性聲明本人鄭重聲明；所呈交的學位論文是本人在導師指導下，獨立進行研究所取得的成果。除了文中已經(jīng)注明引用的內容或屬合作研究共同完成的工作外，本論文不包含任何其他個人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體

6、，均已在文中Ｗ明確方式標明。申請學位論文與資料若有不實之處一，本人承擔切相關責任。論文作者錦：臭竄４曰期：研究生學位論文版權使巧援巧聲明本論文的研巧成果歸武漢科技大學所有，其研究內容不得Ｗ其它單位的名義發(fā)表。本人完全了解武漢科技大學有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向有關部口按照《武漢科技大學關于研究（生學位論文收錄工作的規(guī)定》執(zhí)行）送交論文的復印件和電子版本，允許論文被查閱和借閱，同意學校將本論文的全部或部分內容編入學校認可的國家相關數(shù)據(jù)庫進行檢索和對外服務。ｉ飲作者簽名：吳竄

7、％指導教師簽名：令卸啤日期：巧摘要分數(shù)階憶阻器是將憶阻器與分數(shù)階微積分理論進行結合而得到的一種新的概念，近年來已經(jīng)有科研人員證實了分數(shù)階憶阻器模型的存在，并分析了分數(shù)階憶阻器模型在不同類型激勵信號下的響應特性。分數(shù)階憶阻器模型不僅更加精確，而且能使模型的自由度更高，因而具有較大的研究和應用意義。本文提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的憶阻器模型，通過數(shù)學仿真和電路仿真證實了該模型的正確性，并證明了該模型能夠在不改變激勵信號的前提下調整憶阻器的記憶效應。同時，本文也提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的分數(shù)階憶阻器模型，數(shù)學

8、仿真和電路仿真發(fā)現(xiàn)該模型能夠較好地模擬分數(shù)階憶阻器的特性，同時也分析了分數(shù)階階次和漂移函數(shù)參數(shù)對憶阻器特性的影響。此外，本文也提出了一類簡單的關于分數(shù)階憶阻器模型的應用。在分析了分數(shù)階憶阻器與分數(shù)階憶容器和分數(shù)階憶感器之