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《一種憶阻器的分?jǐn)?shù)階模型及其應(yīng)用研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
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5、e：WuYuxinMajor：CircuitandSystemSupervisor：Prof.GanZhaohuiWuhanUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430081,P.R.ChinaMay,2016武漢科技大學(xué)研究生學(xué)位論文創(chuàng)新性聲明本人鄭重聲明；所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下，獨立進(jìn)行研究所取得的成果。除了文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容或?qū)俸献餮芯抗玻崳娡瓿傻墓ぷ魍?，本論文不包含任何其他個人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個人和集體
6、，均已在文中Ｗ明確方式標(biāo)明。申請學(xué)位論文與資料若有不實之處一，本人承擔(dān)切相關(guān)責(zé)任。論文作者錦：臭竄４曰期：研究生學(xué)位論文版權(quán)使巧援巧聲明本論文的研巧成果歸武漢科技大學(xué)所有，其研究內(nèi)容不得Ｗ其它單位的名義發(fā)表。本人完全了解武漢科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向有關(guān)部口按照《武漢科技大學(xué)關(guān)于研究（生學(xué)位論文收錄工作的規(guī)定》執(zhí)行）送交論文的復(fù)印件和電子版本，允許論文被查閱和借閱，同意學(xué)校將本論文的全部或部分內(nèi)容編入學(xué)校認(rèn)可的國家相關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索和對外服務(wù)。ｉ飲作者簽名：吳竄
7、％指導(dǎo)教師簽名：令卸?。崳娙眨壠冢呵桑崳娬?jǐn)?shù)階憶阻器是將憶阻器與分?jǐn)?shù)階微積分理論進(jìn)行結(jié)合而得到的一種新的概念，近年來已經(jīng)有科研人員證實了分?jǐn)?shù)階憶阻器模型的存在，并分析了分?jǐn)?shù)階憶阻器模型在不同類型激勵信號下的響應(yīng)特性。分?jǐn)?shù)階憶阻器模型不僅更加精確，而且能使模型的自由度更高，因而具有較大的研究和應(yīng)用意義。本文提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的憶阻器模型，通過數(shù)學(xué)仿真和電路仿真證實了該模型的正確性，并證明了該模型能夠在不改變激勵信號的前提下調(diào)整憶阻器的記憶效應(yīng)。同時，本文也提出了一種新型的帶有非線性漂移函數(shù)的分?jǐn)?shù)階憶阻器模型，數(shù)學(xué)
8、仿真和電路仿真發(fā)現(xiàn)該模型能夠較好地模擬分?jǐn)?shù)階憶阻器的特性，同時也分析了分?jǐn)?shù)階階次和漂移函數(shù)參數(shù)對憶阻器特性的影響。此外，本文也提出了一類簡單的關(guān)于分?jǐn)?shù)階憶阻器模型的應(yīng)用。在分析了分?jǐn)?shù)階憶阻器與分?jǐn)?shù)階憶容器和分?jǐn)?shù)階憶感器之
