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1、科技創(chuàng)新2015EI~j25期l科技創(chuàng)新與應(yīng)用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用尚恒李靜(陜西省電子技術(shù)研究所,陜西西安710004)摘要:在現(xiàn)階段生產(chǎn)的電子元件中,有很多的電子元件都存在較為嚴(yán)重的噪聲問題。人類對(duì)電子的依賴程度較高,尤其是手機(jī)一類的產(chǎn)品,其電子元件倘若在噪聲方面沒有達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),勢必會(huì)對(duì)使用者的身體造成傷害。通過利用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù),能夠?qū)﹄娮釉膬?nèi)部、外部等多個(gè)方面,實(shí)施有效的測試,搜集大量的資料與數(shù)據(jù),以此來判定電子元件的噪聲是否達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)、是否能夠投入生產(chǎn)。高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)是目前比較有效的測試技術(shù),日后可以深入研究,并且在電子元件的加工、生產(chǎn)、設(shè)計(jì)
2、等方面來應(yīng)用。關(guān)鍵詞:高阻器件;低頻;噪聲;技術(shù);應(yīng)用電器元件在目前的發(fā)展和研究中,其體積不斷的減小,功能不實(shí)驗(yàn)研究的過程中,高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)均表現(xiàn)出了突出的斷的增多。類似于手機(jī)一類的產(chǎn)品中,電子元件所扮演的角色是絕成績,很多方面都要優(yōu)于以往的傳統(tǒng)技術(shù)。但是,高阻器件低頻噪聲對(duì)性的。但是,任何一種電子元件在投入使用后,都存在噪聲的問測試技術(shù)在沒有得到實(shí)際應(yīng)用時(shí),就不能說高阻器件低頻噪聲測試題,頻率與噪聲密切相關(guān),通過運(yùn)用相關(guān)的測試技術(shù),能夠在客觀上技術(shù)是完全成功的,因?yàn)闆]有創(chuàng)造出實(shí)際的價(jià)值。在此,文章主要對(duì)了解電子元件的噪聲范圍、影響程度、持續(xù)時(shí)間等等,以此來優(yōu)化電高阻器
3、件低頻噪聲測試技術(shù)的應(yīng)用展開論述。子元件的設(shè)計(jì)和運(yùn)用,并且在多方面完成對(duì)電子元件的優(yōu)化。所以,2.1高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)應(yīng)用于高阻厚膜電阻的篩選測試技術(shù)的研究與應(yīng)用,是很有必要的。在此,文章主要對(duì)高阻器件高阻厚膜電阻是比較常用的電阻類型,現(xiàn)階段的生產(chǎn)數(shù)量比較低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用展開討論。大,但如何更好的篩選出劣質(zhì)電阻,就需要應(yīng)用高阻器件低頻噪聲1高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)測試技術(shù)來完成了。在目前的篩選工作中,可以根據(jù)高阻厚膜電阻相對(duì)于其他測試技術(shù)來講,在運(yùn)用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的數(shù)據(jù)、爆裂噪聲開展篩選,其效果均比較突出。以爆裂噪聲篩選為的過程中,省去了很多環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)了較大
4、的便利條件。但是,由于高例,在運(yùn)用高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的過程中,每個(gè)足以激發(fā)出阻器件低頻噪聲測試技術(shù)是一種針對(duì)性較強(qiáng)的技術(shù),因此我們?cè)谶\(yùn)爆裂噪聲的微觀缺陷,對(duì)應(yīng)著一個(gè)脈沖的高度。如果樣品材料中含用的過程中,不能奢求該項(xiàng)技術(shù)可以完成所有電子元件的測試,必有多個(gè)足以在高場強(qiáng)下激發(fā)出爆裂噪聲的缺陷,則該器件的爆裂噪要時(shí)可聯(lián)合其他測試技術(shù)共同完成。在此,文章主要對(duì)高阻器件低聲時(shí)域波形中會(huì)含有多種高度的脈沖,其頻域中會(huì)含有明顯的洛倫頻噪聲測試技術(shù)進(jìn)行論述。茲譜,因而不會(huì)再表現(xiàn)為典型的爆裂噪聲曲線。通過對(duì)爆裂噪聲的1.1高阻樣品噪聲測試問題分析具體分析,就可以完成高阻厚膜電阻的有效篩選。
5、高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)的研究并不是偶然的研究,而是在2.2高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)應(yīng)用于聚合物鉭電容的漏電流大量現(xiàn)有問題的基礎(chǔ)上,實(shí)施的一項(xiàng)針對(duì)性技術(shù)研究,以此來完成噪聲研究各方面的測試進(jìn)步。從客觀的角度來分析,高阻樣品噪聲測試過程聚合物鉭電容是比較常用的一種電力物質(zhì),其作用是比較突出中,表現(xiàn)出了很多的問題,傳統(tǒng)技術(shù)根本無法滿足需求。經(jīng)過大量的的。但是,由于聚合物鉭電容的漏電流噪聲存在嚴(yán)格的要求,因此凡總結(jié)和分析,認(rèn)為高阻樣品噪聲測試問題,突出表現(xiàn)在以下幾個(gè)方是不合格的產(chǎn)品絕對(duì)不能投入產(chǎn)出。在以往的測試過程中,只能是面:第一,高源阻抗使電壓噪聲信號(hào)衰減。在運(yùn)用傳統(tǒng)技術(shù)測試的時(shí)對(duì)
6、噪聲的單一指標(biāo)進(jìn)行測試,不僅耗時(shí)費(fèi)力,同時(shí)還導(dǎo)致很多指標(biāo)候,發(fā)現(xiàn)一旦應(yīng)用高源阻抗來測試,就會(huì)導(dǎo)致電壓噪聲信號(hào)持續(xù)衰的測試達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn),僅僅是能在基礎(chǔ)工作上努力,聚合物鉭電容的減,部分電壓信號(hào)甚至?xí)r表現(xiàn)出元噪聲的特點(diǎn),這就在客觀上導(dǎo)致相關(guān)技術(shù)也停留在原地。通過對(duì)聚合物鉭電容的漏電流噪聲,應(yīng)用測試結(jié)果的不準(zhǔn)確性。倘若以此來生產(chǎn)和加工電子元件,勢必會(huì)造高阻器件低頻噪聲測試技術(shù),電容噪聲功率譜密度幅度與器件的反成產(chǎn)品的較大噪聲問題,對(duì)用戶產(chǎn)生的傷害是比較嚴(yán)重的。第二,高向應(yīng)力損傷時(shí)間成反比。隨著電容兩端施加反向電壓時(shí)間的不斷增偏置的電壓條件,會(huì)直接降低耦合電容壽命,甚至是造成耦合電容加,電
7、容的噪聲在低頻段不斷降低,降低幅度達(dá)到50%。該現(xiàn)象可以被擊穿的情況。目前,部分測試技術(shù)選擇的條件是高偏置的電壓條由鉭電容在施加反向應(yīng)力時(shí)發(fā)生的特殊效應(yīng)來解釋。所以,高阻器件,在以往的測試中,該條件的確表現(xiàn)出了較多的優(yōu)異成績??墒?,件低頻噪聲測試技術(shù)還是能夠較好測試的。目前的耦合電容已經(jīng)無法承受高偏執(zhí)電壓的條件,不僅僅是損耗壽3結(jié)束語命,甚至是會(huì)出現(xiàn)被擊穿,一旦擊穿,勢必會(huì)造成較大的安全事故。文章對(duì)高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用展開討論,從現(xiàn)有的第三,電流噪聲信號(hào)帶過窄。測試噪聲