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《Cu包裹SiC復(fù)合粉體工藝的研究.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第32卷第4期硅酸鹽學(xué)報VoI.32，No.42004年4月JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETYApriI，2004Cu包裹SiC復(fù)合粉體工藝的研究ll，2l2lll王海龍，張銳，王西科，郭景坤，許紅亮，盧紅霞，盛書紅（l.鄭州大學(xué)材料工程學(xué)院，鄭州450002；2.中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所，高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國家重點實驗室，上海200050）摘要：選用工業(yè)生產(chǎn)的SiC粉，利用非均相沉淀法，將Cu均勻地包裹在SiC表面，得到了包裹均勻的Cu/SiC復(fù)合粉體。通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溶液的pH值控制SiC顆粒表面的zeta電位，解決包覆過程中顆粒團聚的問題。X射線
2、衍射分析表明：經(jīng)過包覆反應(yīng)能夠得到大部分包裹著Cu相的SiC顆粒。SEM形貌觀察分析表明：SiC顆粒的大小、形狀均對包覆效果有影響，小的SiC顆粒比大的包覆效果好，球形顆粒比其他形貌的包覆效果好。關(guān)鍵詞：銅；碳化硅；包裹；非均相沉淀中圖分類號：TB333文獻標(biāo)識碼：A文章編號：04545648（2004）04039804PREPARATIONOFCu/SiCCOMPOSITEPARTICLESBYCOATINGMETHODll，2l2lllWANGHailong，ZHANGRui，WANGXike，GUOJingkun，XUHongliang，LUHongxia，SHENGShuho
3、ng（l.DepartmentofMateriaIsEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450002；2.StateKeyLaboratoryofHighPerformanceCeramicsandSuperfineMicrostructure，ShanghaiInstituteofCeramics，ChineseAcademyofScience，Shanghai200050，China）Abstract：Cu/SiCcompositeparticIescoatedhomogeneousIywerepreparedbyheterogene
4、ousdepositionmethodusingindustriaISiCparticIes.ThegIomerationbetweenparticIeswereavoidedbycontroIIingzetapotentiaIofSiCparticIesthroughadjustingpHvaIuesofsoIution.TheparticIescoatedwerecharacterizedbySEMandXRDtechnigues.ItisfoundthatmostSiCparticIesobtainedarecoatedbyCucrystaIIite.Thecoatingstr
5、ucturewereaffectedbythesizeandshapeofSiCparticIes.FinerandsphericaISiCareeasiIycoatedthanIargerandirreguIarones.Keywords：copper；siIiconcarbide；coating；inhomogeneousdeposition金屬陶瓷作為一種陶瓷金屬復(fù)合材料既具有多材料科學(xué)研究者從優(yōu)化陶瓷生產(chǎn)工藝入手，提出陶瓷材料的高強度、高硬度等優(yōu)點，又具有金屬材料了多種制備金屬陶瓷復(fù)合材料的方法，其中制粉階的韌性和可加工性，逐漸成為材料改性的有效方法段對于金屬陶瓷復(fù)合材料的致
6、密性和相分散均勻性之一?？墒?，金屬與陶瓷之間的界面結(jié)合性（包括：的影響尤為重要。采用包覆的方法制備復(fù)合陶瓷粉物理相容性和化學(xué)相容性）以及陶瓷相和金屬相的體，可以改善分散特性，提高金屬相/陶瓷相的均勻［l］分散均勻性始終限制著金屬陶瓷的發(fā)展。因此，許混合程度，改善金屬陶瓷界面結(jié)合性質(zhì)，因此，包收稿日期：20030908。修改稿收到日期：2003l226。Receiveddate：20030908.Approveddate：2003l226.作者簡介：王海龍（l977~），男，碩士。Biography：WANGHaiIon（gl977—），maIe，master.通訊聯(lián)系人：張銳（l96
7、7~），男，博士，副教授。Correspondent：ZHANGRu（il967—），maIe，doctor，associateprofessor.E-mail：ll9whI@zzu.edu.cn第32卷第4期王海龍等：Cu包裹SiC復(fù)合粉體工藝的研究·399·覆型陶瓷粉體的研究成了近年來研究的熱點。包覆粉體的Zeta電位。采用X射線衍射儀（D/max型陶瓷粉體不同于一般的復(fù)合粉體，包覆型陶瓷粉2550V，RigakuTokyo，Japan）測定粉體的相組
