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1、第32卷第4期硅酸鹽學(xué)報VoI.32,No.42004年4月JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETYApriI,2004Cu包裹SiC復(fù)合粉體工藝的研究ll,2l2lll王海龍,張銳,王西科,郭景坤,許紅亮,盧紅霞,盛書紅(l.鄭州大學(xué)材料工程學(xué)院,鄭州450002;2.中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國家重點實驗室,上海200050)摘要:選用工業(yè)生產(chǎn)的SiC粉,利用非均相沉淀法,將Cu均勻地包裹在SiC表面,得到了包裹均勻的Cu/SiC復(fù)合粉體。通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溶液的pH值控制SiC顆粒表面的zeta電位,解決包覆過程中顆粒團(tuán)聚的問題。X射線
2、衍射分析表明:經(jīng)過包覆反應(yīng)能夠得到大部分包裹著Cu相的SiC顆粒。SEM形貌觀察分析表明:SiC顆粒的大小、形狀均對包覆效果有影響,小的SiC顆粒比大的包覆效果好,球形顆粒比其他形貌的包覆效果好。關(guān)鍵詞:銅;碳化硅;包裹;非均相沉淀中圖分類號:TB333文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A文章編號:04545648(2004)04039804PREPARATIONOFCu/SiCCOMPOSITEPARTICLESBYCOATINGMETHODll,2l2lllWANGHailong,ZHANGRui,WANGXike,GUOJingkun,XUHongliang,LUHongxia,SHENGShuho
3、ng(l.DepartmentofMateriaIsEngineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450002;2.StateKeyLaboratoryofHighPerformanceCeramicsandSuperfineMicrostructure,ShanghaiInstituteofCeramics,ChineseAcademyofScience,Shanghai200050,China)Abstract:Cu/SiCcompositeparticIescoatedhomogeneousIywerepreparedbyheterogene
4、ousdepositionmethodusingindustriaISiCparticIes.ThegIomerationbetweenparticIeswereavoidedbycontroIIingzetapotentiaIofSiCparticIesthroughadjustingpHvaIuesofsoIution.TheparticIescoatedwerecharacterizedbySEMandXRDtechnigues.ItisfoundthatmostSiCparticIesobtainedarecoatedbyCucrystaIIite.Thecoatingstr
5、ucturewereaffectedbythesizeandshapeofSiCparticIes.FinerandsphericaISiCareeasiIycoatedthanIargerandirreguIarones.Keywords:copper;siIiconcarbide;coating;inhomogeneousdeposition金屬陶瓷作為一種陶瓷金屬復(fù)合材料既具有多材料科學(xué)研究者從優(yōu)化陶瓷生產(chǎn)工藝入手,提出陶瓷材料的高強(qiáng)度、高硬度等優(yōu)點,又具有金屬材料了多種制備金屬陶瓷復(fù)合材料的方法,其中制粉階的韌性和可加工性,逐漸成為材料改性的有效方法段對于金屬陶瓷復(fù)合材料的致
6、密性和相分散均勻性之一??墒?,金屬與陶瓷之間的界面結(jié)合性(包括:的影響尤為重要。采用包覆的方法制備復(fù)合陶瓷粉物理相容性和化學(xué)相容性)以及陶瓷相和金屬相的體,可以改善分散特性,提高金屬相/陶瓷相的均勻[l]分散均勻性始終限制著金屬陶瓷的發(fā)展。因此,許混合程度,改善金屬陶瓷界面結(jié)合性質(zhì),因此,包收稿日期:20030908。修改稿收到日期:2003l226。Receiveddate:20030908.Approveddate:2003l226.作者簡介:王海龍(l977~),男,碩士。Biography:WANGHaiIon(gl977—),maIe,master.通訊聯(lián)系人:張銳(l96
7、7~),男,博士,副教授。Correspondent:ZHANGRu(il967—),maIe,doctor,associateprofessor.E-mail:ll9whI@zzu.edu.cn第32卷第4期王海龍等:Cu包裹SiC復(fù)合粉體工藝的研究·399·覆型陶瓷粉體的研究成了近年來研究的熱點。包覆粉體的Zeta電位。采用X射線衍射儀(D/max型陶瓷粉體不同于一般的復(fù)合粉體,包覆型陶瓷粉2550V,RigakuTokyo,Japan)測定粉體的相組