譯員測(cè)試登記表.doc

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1、譯員測(cè)試登記表姓名網(wǎng)絡(luò)姓名專(zhuān)業(yè)QQMSN手機(jī)稿件質(zhì)量備注測(cè)試稿件原稿ALD設(shè)備的設(shè)計(jì)通常可分為熱壁反應(yīng)室和冷壁反應(yīng)室兩大類(lèi)。熱壁反應(yīng)室將整個(gè)反應(yīng)室維持或接近于淀積溫度，熱壁反應(yīng)室的主要優(yōu)勢(shì)是在反應(yīng)室側(cè)壁上所淀積的也都是高品質(zhì)的ALD薄膜，熱壁反應(yīng)室設(shè)備往往能阻止薄膜的早期剝離，由于從加熱的側(cè)壁脫附的反應(yīng)源流量較高，從而加速了對(duì)反應(yīng)空間的清潔。冷壁反應(yīng)室通常只將襯底加熱到淀積溫度，其它反應(yīng)室組件卻維持在較低的溫度，這將有利于傳送在淀積溫度可能分解的反應(yīng)物，但風(fēng)險(xiǎn)是易受長(zhǎng)時(shí)間凈化的影響，冷壁表面的反應(yīng)源脫附速率的降低導(dǎo)致了更大的化學(xué)氣相淀積

2、成分。隨著反應(yīng)室內(nèi)淀積薄膜的積累，上述問(wèn)題會(huì)進(jìn)一步惡化。不同配置的ALD設(shè)備可用于半導(dǎo)體制造的不同工藝中。ALD反應(yīng)室可以是單晶圓設(shè)備、小批量晶圓(<25晶圓負(fù)載)設(shè)備、或大批量晶圓（50-100晶圓負(fù)載）系統(tǒng)。單晶圓設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝極好地控制，而多晶圓系統(tǒng)能極大地提升生產(chǎn)能力。應(yīng)用對(duì)薄膜的要求決定如何選擇合適的設(shè)備裝置。此外，一些ALD薄膜很難均勻地在大批量晶圓系統(tǒng)中淀積，這就必須使用單晶圓或小批量晶圓工藝設(shè)備。