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1、光刻膠基礎(chǔ)知識簡介2012年04月19日大綱?什么是光刻膠?光刻膠的分類與發(fā)展?光刻膠的基本組成及其作用原理?光刻膠的發(fā)展前景光刻膠（photoresist/resist）?定義：又稱光致抗蝕劑，是一種感光材料，在光的照射與溶解度發(fā)生變化。?作用：實現(xiàn)從掩膜板到基片上的圖形轉(zhuǎn)移。?用途：分立器件、集電電路（IC）、平板顯
示（FPD，LCD、PDP）、LED等。?重要性：–集成電路制造的關(guān)鍵原材料
–國內(nèi)芯片制造業(yè)的迅速發(fā)展
–本土化需求Moore’sLaw?摩爾定律（Moore’sLaw）–當價格不變時，集成電路上可容納的
2、晶體管數(shù)目，約每
隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。瑞利公式與光刻膠的發(fā)展R=k1λNAk1:工藝常數(shù)λ:曝光波長NA:鏡頭的數(shù)值孔徑光刻膠的發(fā)展光刻膠分類?正膠：曝光顯影后可溶與顯影液?負膠：曝光顯影后不溶與顯影液負膠：?環(huán)化橡膠體系負膠?化學(xué)放大型負膠（主體樹脂不同、作用原理不同）正膠：?傳統(tǒng)正膠（DNQ-Novolac體系）
?化學(xué)放大光刻膠（Chemicalamplified
resist,CAR）光刻膠作用原理?光刻膠的特點：在光的照射下溶解速率發(fā)生變化，利用曝光區(qū)與非曝光區(qū)的溶解速率差來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移。?
3、溶解抑制(DissolutionInhibition)/溶解促進(DissolutionPromotion)共同作用。?作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同DNQ-Novolac體系作用示意圖DNQ-Novolac體系溶解抑制：DNQ上的偶氮基與樹脂形成氫鍵，引起溶解速率的下降溶解促進：DNQ在光照下發(fā)生重排反應(yīng)，脫去偶氮鍵形成羧基，易溶于堿液化學(xué)放大體系(Chemicalamplifyresist,CAR)溶解抑制：通過在羥基上引入非極性保護
基團，降低樹脂在堿液中的溶解速率。溶解促進：在酸的催化下發(fā)生脫保護反
應(yīng)，形成易溶
4、于堿液的酚基或羧基。光刻膠的發(fā)展前景?市場前景–國內(nèi)芯片制造業(yè)發(fā)展迅速，需要與之配套的國產(chǎn)化光刻膠及技術(shù)支持。?戰(zhàn)略意義–90%以上光刻膠全部依賴進口。–原材料資源及技術(shù)掌握在日本及美國的大企業(yè)手中。
–02國家重大專項的支持。?技術(shù)發(fā)展–分辨率的不斷提高，需要更為先進的光刻膠材料進行支撐。–材料的創(chuàng)新促進芯片制造技術(shù)的發(fā)展。北京科華微電子材料有限公司簡介北京科華微電子材料有限公司簡介北京科華微電子材料有限公司成立于2004年8月，是集光刻膠研發(fā)、生
產(chǎn)、檢測、銷售于一體的中外合資企業(yè)，同時也是中國第一個在光刻膠領(lǐng)域
擁有自
5、主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司于2009年5月建成投產(chǎn)的“國內(nèi)領(lǐng)先”“國際一流”的光刻膠生產(chǎn)
線，由美國著名設(shè)計師設(shè)計。生產(chǎn)線建設(shè)用地21564.6m2（合32畝），建筑
面積9329m2，總投資8200萬元。生產(chǎn)線可年產(chǎn)紫外正性G線、I線光刻膠、
LCD用紫外正性光刻膠500噸，配套試劑1000噸，結(jié)束了國內(nèi)光刻膠長期依賴
進口的局面?？迫A微電子材料有限公司簡介?雄厚的技術(shù)實力–擁有光刻膠自主知識產(chǎn)權(quán)–資深的研發(fā)隊伍，可根據(jù)客戶需求進行產(chǎn)品的設(shè)計與開發(fā)–承擔國家02重大專項“248nm光刻膠研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項目?完善的質(zhì)量體
6、系–通過ISO9001質(zhì)量體系審核
–通過ISO1400環(huán)境體系審核?先進的分析測試技術(shù)
?高效的客戶服務(wù)體系先進的應(yīng)用測試設(shè)備FunctionalTestEquipmentNikoni9cstepperSVG8600TrackKLA8250CDSEMHitachiS4800XSEM先進的分析測試設(shè)備AnalyticalEquipment等離子體光譜儀－ICP石墨爐原子吸收儀－AAKarl-Fisher自動滴定儀顆粒分析儀科華光刻膠發(fā)展技術(shù)路線圖PhotoresistRoadmap2010201120122013201420
7、15完成自主研發(fā)的三個平臺樹脂及相關(guān)組分的研究及優(yōu)化完成248nm光刻膠配方技術(shù)研究使其滿足0.25-0.18-0.13μm的要求建成一條百噸級248nm光刻膠生產(chǎn)線248nm248nm光刻膠實現(xiàn)量產(chǎn)中國光刻膠進入世界行列193nm()193nm光刻膠的中試技術(shù)研究滿足90nm-65nm技術(shù)要求完成一套193nm光刻膠的中試裝置的設(shè)計及相關(guān)工程化中試技術(shù)研究193nm()成膜樹脂單體及相關(guān)組分的合成與純化技術(shù)研究光刻膠配方體系及應(yīng)用技術(shù)研究中試技術(shù)研究LCD取向用光敏性聚酰亞胺產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究鈍化層光敏聚酰亞胺光刻膠納米壓印技
8、術(shù)中涉及的化學(xué)品研究納米壓印的印章材料的研究LCD用光刻膠關(guān)鍵材料的本土化G/I線光刻膠（IC用）關(guān)鍵材料的本土化248nm光刻膠關(guān)鍵材料的本土化
科華光刻膠產(chǎn)品簡介KMPD系列紫外正性光刻膠產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品名稱黏度（mPa.S）參考曝光能量E0@1.50μm涂布方式應(yīng)用領(lǐng)域KMP30D323
