光刻膠基礎(chǔ)知識(shí)new

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1、光刻膠基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)介2012年04月19日大綱?什么是光刻膠?光刻膠的分類與發(fā)展?光刻膠的基本組成及其作用原理?光刻膠的發(fā)展前景光刻膠（photoresist/resist）?定義：又稱光致抗蝕劑，是一種感光材料，在光的照射與溶解度發(fā)生變化。?作用：實(shí)現(xiàn)從掩膜板到基片上的圖形轉(zhuǎn)移。?用途：分立器件、集電電路（IC）、平板顯示（FPD，LCD、PDP）、LED等。?重要性：–集成電路制造的關(guān)鍵原材料–國內(nèi)芯片制造業(yè)的迅速發(fā)展–本土化需求Moore’sLaw?摩爾定律（Moore’sLaw）–當(dāng)價(jià)格價(jià)格不變時(shí)，集成電

2、路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。瑞利公式與光刻膠的發(fā)展lR=k1NAk:工藝常數(shù)1l:曝光波長(zhǎng)NA:鏡頭的數(shù)值孔徑光刻膠的發(fā)展光刻膠分類?正膠：曝光顯影后可溶與顯影液?負(fù)膠：曝光顯影后不溶與顯影液負(fù)膠：?環(huán)化橡膠體系負(fù)膠?化學(xué)放大型負(fù)膠（主體樹脂不同、作用原理不同）正膠：?傳統(tǒng)正膠（DNQ-Novolac體系）?化學(xué)放大光刻膠（Chemicalamplifiedresist,CAR）光刻膠作用原理?光刻膠的特點(diǎn)：在光的照射下溶解速率發(fā)生變化，利用曝光區(qū)與非曝光區(qū)的溶解速率差

3、來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移。?溶解抑制(DissolutionInhibition)/溶解促進(jìn)(DissolutionPromotion)共同作用。?作用的機(jī)理因光刻膠膠類型不同而不同DNQ-Novolac體系作用示意圖DNQ-Novolac體系溶解抑制：DNQ上的偶氮基與樹脂形成氫鍵，引起溶解速率的下降溶解促進(jìn)：DNQ在光照下發(fā)生重排反應(yīng)，脫去偶氮鍵形成羧基，易溶于堿液化學(xué)放大體系(Chemicalamplifyresist,CAR)溶解抑制：通過在羥基上引入非極性保護(hù)基團(tuán)，降低樹脂在堿液中的溶解速率。溶解促進(jìn)：在酸的

4、催化下發(fā)生脫保護(hù)反應(yīng)，形成易溶于堿液的酚基或羧基。光刻膠的發(fā)展前景?市場(chǎng)前景–國內(nèi)芯片制造業(yè)發(fā)展迅速，需要與之配套的國產(chǎn)化光刻膠及技術(shù)支持。?戰(zhàn)略意義–90%以上光刻膠全部依賴進(jìn)口。–原材料資源及技術(shù)掌握在日本及美國的大企業(yè)手中。–02國家重大專項(xiàng)的支持。?技術(shù)發(fā)展–分辨率的不斷提高，需要更為先進(jìn)的光刻膠材料進(jìn)行支撐。–材料的創(chuàng)新促進(jìn)芯片制造技術(shù)的發(fā)展。北京科華微電子材料有限公司簡(jiǎn)介北京科華微電子材料有限公司簡(jiǎn)介北京科華微電子材料有限公司成立于2004年8月，是集光刻膠研發(fā)、生產(chǎn)、檢測(cè)、銷售于一體的中外合資企業(yè)

5、，同時(shí)也是中國第一個(gè)在光刻膠領(lǐng)域擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司于2009年5月建成投產(chǎn)的“國內(nèi)領(lǐng)先”“國際一流”的光刻膠生產(chǎn)線，由美國著名設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)。生產(chǎn)線建設(shè)用地21564.6m2（合32畝），建筑面積9329m2，總投資8200萬元。生產(chǎn)線可年產(chǎn)紫外正性G線、I線光刻膠、LCD用紫外正性光刻膠500噸，配套試劑1000噸，結(jié)束了國內(nèi)光刻膠長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面?？迫A微電子材料有限公司簡(jiǎn)介?雄厚的技術(shù)實(shí)力–擁有光刻膠自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)–資深的研發(fā)隊(duì)伍，可根據(jù)客戶需求進(jìn)行產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與開發(fā)–承擔(dān)國家02重大專項(xiàng)“24

6、8nm光刻膠研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目?完善的質(zhì)量體系–通過ISO9001質(zhì)量體系審核–通過ISO1400環(huán)境體系審核?先進(jìn)的分析測(cè)試技術(shù)?高效的客戶服務(wù)體系FunctionalTestEquipment先進(jìn)的應(yīng)用測(cè)試設(shè)備Nikoni9cstepperSVG8600TrackKLA8250CDSEMHitachiS4800XSEMAnalyticalEquipment先進(jìn)的分析測(cè)試設(shè)備等離子體光譜儀－ICP石墨爐原子吸收儀－AAKarl-Fisher自動(dòng)滴定儀顆粒分析儀科華光刻膠發(fā)展技術(shù)路線圖PhotoresistRo

7、admap201020112012201320142015完成自主研發(fā)的三個(gè)平臺(tái)樹脂及相關(guān)組分的研究及優(yōu)化248nm248nm光刻膠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)完成248nm光刻膠配方技術(shù)研究使其滿足0.25-0.18-0.13μm的要求中國光刻膠進(jìn)入世界行列建成一條百噸級(jí)248nm光刻膠生產(chǎn)線193nm193nm光刻膠的中試技術(shù)研究滿足90nm-()65nm技術(shù)要求完成一套193nm光刻膠的中試裝置的設(shè)計(jì)及相關(guān)工程化中試技術(shù)研究193nm成膜樹脂單體及相關(guān)組分的合成與純化技術(shù)研究()光刻膠配方體系及應(yīng)用技術(shù)研究LCD取向用光敏性

8、聚酰亞胺中試技術(shù)研究鈍化層光敏聚酰亞胺光刻膠產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究納米壓印技術(shù)中涉及的化學(xué)品研究納米壓印的印章材料的研究LCD用光刻膠關(guān)鍵材料的本土化G/I線光刻膠（IC用）關(guān)鍵材料的本土化248nm光刻膠關(guān)鍵材料的本土化科華光刻膠產(chǎn)品簡(jiǎn)介KMPD系列紫外正性光刻膠產(chǎn)品規(guī)格黏度參考曝光能量產(chǎn)品名稱涂布方式應(yīng)用領(lǐng)域（（（mPa.S）））E0@1.50μμμmKMP30D3230/3230S50-