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1、通信工程學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)外文翻譯畢業(yè)設(shè)計(jì)題目基于圖像的LED發(fā)光特性測試系統(tǒng)夕卜文題目FabricationofHigh-performance400nmVioletLightEmittingDiode專業(yè)：信息T程學(xué)號：20120923學(xué)生姓名：劉妮指導(dǎo)教師姓名：馬海濤指導(dǎo)教師職稱：教授日期:400nm高性能紫光LED的制作與表征王東盛1,2，駱英民1，郭文平2,杜國同1,3,張克雄1,梁紅偉1,4*,宋世巍1(1.人連理T人學(xué)物理與光電學(xué)院，遼寧大連116024;2.江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司，江蘇無錫214192;楊德超3,中人升1,柳陽13.吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
2、集成光電子國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,吉林長春130012;4.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海200050)摘要：利用金屬冇機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在藍(lán)寶石襯底表面制備了帶有p-AlGaN電子阻擋層的400nm高226發(fā)光學(xué)報(bào)笫34卷性能紫光InGaN多量子阱發(fā)光二極管。制作了3種紫光LED,分別帶有不同P-AlGaN電子阻擋層結(jié)構(gòu)：A1摩爾分?jǐn)?shù)為9%的p-AlGaN電子阻擋層；A1摩爾分?jǐn)?shù)為11%的P-AlGaN電了阻擋層；A1摩爾分?jǐn)?shù)為20%的10對p-AlGaN/GaN超晶格電子阻擋層。帶有高濃度A1電子阻擋層的紫光LED的光輸出功率高于低濃度A1
3、電子阻擋層的紫光LEDo帶有10對P-AlGaN/GaN超品格電子阻擋層的紫光LED的光輸出功率獲得了極大的提高，在20mA注入電流時(shí)測試得到的光輸出功率為21mW。此外，該LED同時(shí)顯示了在高注入電流下接近線性的I-L特性曲線和在LED芯片表面均勻的發(fā)光強(qiáng)度分布。關(guān)鍵詞：金屬冇機(jī)物化學(xué)氣相沉積；紫光發(fā)光二極管；GaN發(fā)光二極管；電子阻擋層；超品格最近兒年，甘為基礎(chǔ)的材料已經(jīng)吸引光電子器件的極大興趣，如發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LDS)相關(guān)的主要發(fā)展場導(dǎo)致高亮度化發(fā)光二極管(LED)與紫外至琥珀色光譜區(qū)的波長，并且，耍實(shí)現(xiàn)對紫激光二極管的壽命達(dá)到10000個(gè)小吋的
4、吋間，隨著LED商業(yè)化程度不斷增加，人們一直對在量了效率(雖化寬松)和電動(dòng)性能感興趣，所有這些都與晶體質(zhì)最和發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)有關(guān)。在這篇文章中，400nm高性能紫光LED的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性在不同的條件下生長的阻扌肖層的MOCVD技術(shù)進(jìn)行，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，光輸出效率在高注入電流效率高p-AlGaNill子阻擋層(EBL)嚴(yán)重影響，用10對阻擋/GaN超晶格電子阻擋層,LED顯示21兆瓦的峰值波長為402nm的輸出功率20毫安電流。二、實(shí)驗(yàn)2.1制備400nm紫光LED藍(lán)寶石襯底上GaN構(gòu)造平面樣品C面藍(lán)寶石襯底上通過Veeco的M0CVD系統(tǒng)生長k465i渦輪盤。三甲基銖(Ga),三
5、卬基鋼(Tmin)和氨被用作遺傳算法。硅烷和二茂鎂(Mg)分別作為n型和p型摻雜劑，氫氣和氮?dú)庾鳛閿y帶氣體。圖像1展示出了示意性樣品結(jié)構(gòu)，在1150攝氏度的溫度下，在氫環(huán)境屮首先對底物進(jìn)行了處理，其次是30納米厚的GaN緩沖層在530的增長，其次，溫度上升到1070°C増長2uM摻雜GaN和1.5UMSi摻朵的n型GaN,11對InGaN多量子威爾斯(多量子阱)生長的活性層和量了阱的生長溫度為770°C?最后，有源層覆蓋的摻朵的p型GaN層在溫度940°C為300毫克有源層，p-GaN層之間,AlGaNEBL層在三個(gè)條件下生長(1)低鋁的摩爾分?jǐn)?shù)(9%)(2)高鋁的摩爾分
6、數(shù)(11%)(3)10對阻擋/GaN超晶格電子阻擋層(slebl,在2。5nm,Al的摩爾分?jǐn)?shù)約為20%的超晶格的阻擋和GaN的厚度)層,在三和960°CAlGaNEBL相同的載氣氣氛和同溫度下生長。為簡單起見，這些樣品分別表示樣品，乙，丙.IdtiTBIt-圖1藍(lán)寶石襯底上生長的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖2.2特性GaN薄膜的結(jié)品質(zhì)量檢查的X射線雙品衍射(DCXRD)搖擺曲線使用約旦河谷XRD設(shè)備，在每-?種情況下，該裝置是在裸芯片的幾何形式，具冇300Um*300um的大小。電致發(fā)光(EL)LED的光譜被放在附近的電流注入排放的平而裝置頂部光纖收集。同樣，由硅探測器測量
7、的光輸出功率放置在靠近頂部的發(fā)光二極管。同時(shí)，LED封裝在5燈封裝。額定注入電流為20毫安，與64兆瓦的電輸入功率3.結(jié)果與討論3.1DCXRD圖2展示了樣本的X射線模型:A,B和Co他們的半高全寬(FWIIM)的w的掃描搖擺曲線顯示了樣本A的280到316的反正割，樣本B的265到280的反正割,樣木C的255到275的反正割,說明品體具有很高的質(zhì)量。而且圖2也顯示了w-2在(0002)反射中的樣品的掃描。主頂峰對應(yīng)于GaN的衍射,衛(wèi)星的頂峰,表明InGaN和AlGaN衍射。InGan層的四個(gè)更加清晰地，強(qiáng)烈的衛(wèi)星頂峰顯示了
