晶體與非晶體 復(fù)習(xí)

晶體與非晶體 復(fù)習(xí)

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1、一、晶體與非晶體1.概念晶體:具有規(guī)則幾何外形的固體非晶體:沒(méi)有規(guī)則幾何外形的固體晶體與非晶體的差異非晶體晶體自范性微觀結(jié)構(gòu)物理性質(zhì)熔點(diǎn)有沒(méi)有原子在三維空間里呈周期性有序排列原子排列相對(duì)無(wú)序強(qiáng)度、導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等各向異性沒(méi)有各向異性固定不固定物質(zhì)項(xiàng)目二、晶胞晶胞:描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。習(xí)慣采用的晶胞都是平行六面體(立方體)蜂巢與蜂室銅晶體銅晶胞晶體是由晶胞“無(wú)隙并置”而成。所謂“無(wú)隙”,是指相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙;所謂“并置”,是指所有晶胞都是平行排列,取向相同。平行六面體無(wú)隙并置三.正方體單

2、晶胞中原子個(gè)數(shù)的計(jì)算規(guī)則晶胞頂角的原子為8個(gè)晶胞共用,每個(gè)晶胞占1/8;晶胞棱上的原子為4個(gè)晶胞共用,每個(gè)晶胞占1/4;晶胞面上的原子為2個(gè)晶胞共用,每個(gè)晶胞占1/2;晶胞內(nèi)部的原子為1個(gè)晶胞獨(dú)自占有。四.四種類(lèi)型晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的比較晶體類(lèi)型離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體構(gòu)成微粒微粒間作用力陽(yáng)陰離子原子分子金屬陽(yáng)離子和自由電子離子鍵共價(jià)鍵范德瓦耳斯力金屬鍵晶體類(lèi)型離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體是否有分子存在熔化時(shí)鍵的變化無(wú)無(wú)有分子無(wú)斷開(kāi)離子鍵斷開(kāi)共價(jià)鍵不斷鍵減弱硬度較大很大較小一般較大,部分小物

3、質(zhì)種類(lèi)離子晶體分子晶體金屬晶體原子晶體熔、沸點(diǎn)溶解性導(dǎo)電性較高較低很高有高有低易溶于極性溶劑,難溶于有機(jī)溶劑相似相溶難溶難溶,有些可與水反應(yīng)熔化或溶于水能導(dǎo)電不易導(dǎo)電不易導(dǎo)電良導(dǎo)體(導(dǎo)電傳熱)大多數(shù)鹽強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物金剛石、Si、SiO2、SiC等7種氣體、多數(shù)非金屬單質(zhì)、酸、多數(shù)有機(jī)物金屬1.分子式是用元素符號(hào)表示物質(zhì)(單質(zhì)、化合物)分子的組成及相對(duì)分子質(zhì)量的化學(xué)式。分子式可示出物質(zhì)的名稱、相對(duì)分子質(zhì)量、一個(gè)分子中所含元素的原子數(shù)目及元素質(zhì)量比等??梢杂梅肿邮降囊话愣际欠肿泳w,分子間以范德華

4、力(分子間的作用力)相互結(jié)合形成的晶體。分子晶體有分子式,離子晶體、原子晶體和金屬晶體沒(méi)有分子式。2.化學(xué)式是用元素符號(hào)表示物質(zhì)組成的式子。化學(xué)式是實(shí)驗(yàn)式、分子式、結(jié)構(gòu)式的統(tǒng)稱。化學(xué)式包含分子式。補(bǔ)充:五.物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低判斷規(guī)律:不同類(lèi)型:同種類(lèi)型:原子晶體〉離子晶體〉分子晶體微粒間的作用越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高金屬晶體(除少數(shù)外)>分子晶體原子晶體:離子晶體:金屬晶體:原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高離子電荷數(shù)越多,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高金屬陽(yáng)離子電荷數(shù)越多,離子半徑越小,金屬鍵越強(qiáng),

5、熔沸點(diǎn)越高分子晶體:(1)分子結(jié)構(gòu)相似時(shí),相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,熔沸點(diǎn)越高;(2)分子的極性越大,范德華力越大。熔沸點(diǎn)越高;(3)若分子間形成氫鍵,熔沸點(diǎn)升高;分子內(nèi)形成氫鍵,熔沸點(diǎn)降低六.常見(jiàn)的原子晶體109o28′金剛石的晶體結(jié)構(gòu)示意圖1.54×10-10mSP3雜化金剛石是以碳碳單鍵結(jié)合而成的正四面體的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)金剛石的晶胞金剛石思考題:1、一個(gè)C原子與幾個(gè)C相連?2、C—C鍵間的夾角為3、最小的C環(huán)上有幾個(gè)C原子?4、每個(gè)C被幾個(gè)C環(huán)所共有?4109°28′612180o109o

6、28′SiO二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)示意圖二氧化硅(SiO2)思考題:1、一個(gè)Si原子與幾個(gè)O相連?2、化學(xué)鍵間的夾角為3、最小的環(huán)上有幾個(gè)原子?4、每個(gè)Si被幾個(gè)環(huán)所共有?4109°28′12個(gè)(6個(gè)Si和6個(gè)O)121、金屬鍵不具有方向性和飽和性。2、金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬離子的半徑及所帶的電荷數(shù)有關(guān)。一般金屬離子半徑越小、電荷數(shù)越多金屬鍵就越強(qiáng)。熔點(diǎn)就相應(yīng)越高,硬度也越大七.金屬晶體非密置層(配位數(shù)為4)密置層(配位數(shù)為6)1、二維堆積金屬晶體的原子堆積模型金屬晶體中的原子可看成直徑相等的球體。把它們放

7、置在平面上(即二維空間里),有兩種方式——非密置層和密置層2、三維堆積(有4種方式)(1)簡(jiǎn)單立方堆積(課本74頁(yè))相鄰非密置層原子的原子核在同一條直線上,原子的配位數(shù)為6,每個(gè)晶胞含1個(gè)原子,空間利用率為52%。代表物質(zhì):釙(Po)(鉀型)(2)體心立方堆積非密置層的另一種堆積方式是將上層金屬原子填入下層的金屬原子形成的凹穴中,并使非密置層的原子稍稍分離,每層均照此堆積,原子的配位數(shù)為8,每個(gè)晶胞含2個(gè)原子,空間利用率為68%。代表物質(zhì):堿金屬、Fe(課本75頁(yè))123456第二層對(duì)第一層來(lái)講最密

8、的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)1,3,5位。(或?qū)?zhǔn)2,4,6位,其情形是一樣的)123456AB,關(guān)鍵是第三層,對(duì)第一、二層來(lái)說(shuō),第三層可以有兩種最緊密的堆積方式。思考:密置層的堆積方式有哪些?下圖是六方最密堆積的前視圖ABABA一種是將球?qū)?zhǔn)第一層的球。123456于是每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期,即ABAB堆積方式,形成六方最密堆積。配位數(shù)12。(同層6,上下層各3)⑶六方最密堆積六方最密堆積(鎂型)金屬晶體的原子空間堆積模型3第三層的另一種排列方式,是將球?qū)?zhǔn)第一層的2,4,6位

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