資源描述:
《微電子基礎(精)》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、封裝技術本章目標:1、熟悉封裝的流程2、熟悉常見半導體的封裝形式第一節(jié)、概述第二節(jié)、封裝工藝第三節(jié)、封裝設計第一節(jié)、概述1、簡介2、影響封裝的芯片特性3、封裝的功能4、潔凈度和靜電控制5、封裝的工藝流程6、封裝體的構成7、封裝與PCB板的連接1.簡介半導體牛產(chǎn)電路a—I封裝圖18.1尼:片圭寸裝形式將單個芯片從晶圓整體中分離出來后:(1)多數(shù)情況,被置入一個保護性的封裝體中(2)作為多芯片模塊的一部分(3)直接安裝在印制電路板上(板上芯片COB)2、影響封裝的芯片特性?集成度?晶片厚度?尺寸?對環(huán)境的敏感度?物理的脆弱度?熱的產(chǎn)生?熱敏感度圖18.2
2、影響封裝工藝的芯片特性保護芯片所采取的措施:(1)臨近晶圓制造工藝結尾處淀積鈍化層(2)為芯片提供一個封裝體(封裝溫度不高于450度)3、封裝的功能(1)緊固的引腳系統(tǒng)將脆弱的芯片表面器件連線與外部世界連接來。(2)物理性保護(防止芯片破碎或受外界損傷)(3)環(huán)境性保護(免受化學品、潮氣等的影響)(4)散熱(封裝體的各種材料本身可帶走一部分熱量)4、潔凈度和靜電控制(1)潔凈度雖然封裝區(qū)域?qū)崈舳人降囊筮h不如晶片生產(chǎn)區(qū)域嚴格,但保持一定的潔凈度仍是非常重要的。?HEPA過濾器/VLF空氣■面罩,帽子和鞋套?指套或手套?過濾的化學品■粘著地墊?靜電
3、挖制圖18.5污染控制方案(2)靜電控制在封裝區(qū)域內(nèi)來自于外界環(huán)境的最致命危害是靜電(尤其對于MOS柵結構的器件),因此每個生產(chǎn)高集成度芯片的封裝區(qū)域應有一套切實有效的防靜電方案。?接地的靜電腕帶?靜電服?防靜電材料?設備接地?工作平臺接地?地板或地板塊接地圖18.6靜電控制方案5.封裝的工藝流程晶圓加工的四個基本操作可以重復。封裝是一條龍生產(chǎn)線,沒有反復的工序。?底部準備?封裝前檢査?劃片?封裝?取片?電鍍?粘片?切筋成型?檢査?印字?打線?最終測試圖18.8基本的封裝工序①底部準備底部準備通常包括磨薄和鍍金。②劃片用劃片法或鋸片法將晶片分離成單個
4、芯片③取片和承載在挑選機上選出良品芯片,放于承載托盤中。鼎回1電洌J后曲片分揚i卅CWYE用鈕甌M曲葉1^118.9,古八O扌東①粘片用金硅低熔點技術或銀漿粘貼材料粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。圖18.10圭寸裝的粘片區(qū)②打線A:芯片上的打線點與封裝體引腳的內(nèi)部端點之間用很細的線連接起來(線壓焊);B:在芯片的打線點上安裝半球型的金屬突起物(反面球形壓焊);C:TAB壓焊技術;③封裝前檢查有無污染物;芯片粘貼質(zhì)量;金屬連接點的好壞;④電鍍、切筋成型和印字電鍍:為增強封裝體的外部引腳在電路板上的可焊性,電鍍上鉛錫合金。切筋成型:在接近封裝工序的結尾,需
5、要將引腳與引腳之間的連筋切除。圖18」1印字的封裝⑧最終測試包括電性測試及環(huán)境適應的可靠性測試。6.封裝體的構成①芯片粘貼區(qū)域(要求平整)
6、冬118.10圭寸裝的秤亍片區(qū)②內(nèi)部引腳③外部引腳圖1&12內(nèi)部引腳和外部引腳④芯片-封裝體的連接(壓焊線、壓焊球)圖1&13壓焊線⑤封裝外殼密圭寸型?金屬?陶瓷華密圭寸型?環(huán)氧樹脂?聚酰亞胺圖18.14封裝類型名稱7.封裝與PCB的連接①通孔法(pin-through-hole)②表面安裝法(SMD)③載帶自動焊法(TAB)第二節(jié)、封裝工藝1、封裝前晶圓準備2、劃片3、取放芯片和芯片檢查4、粘片5、打線6、封裝
7、7、引腳電鍍8、引腳切筋成型9、外部打磨10、封裝體印字11、終測K封裝前晶圓準備(非必需)①晶圓打磨原因:A:芯片越來越厚,薄片易劃片B:厚芯片要求較深的粘片凹腔C:摻雜工藝中,如果晶圓背部沒有被保護起來,摻雜體形成電子結合點,可打磨掉②背面鍍金背面鍍金增加粘附性。2.劃片兩種方法:劃片分離和鋸片分離①劃片法還需圓柱滾軸加壓才能得以分離。②鋸片法完全鋸開劃或鋸的線芯片.芯片芯片8、檢查(使用顯微鏡人工檢查或光學成像系統(tǒng)自動檢查):檢查芯片棱角的質(zhì)量(不應有任何崩角和裂紋);檢查表面劃痕和污染物。4.粘片粘片的目的:①在芯片與封裝體之間產(chǎn)生很牢固的物理性連接②在芯片與封裝體之間產(chǎn)生傳導性或絕緣性的連接③作為介質(zhì)把芯片上產(chǎn)生的熱量傳導到封裝體上粘片技術:①低熔點融合技術②樹脂粘貼技術粘片材料:①導電材料金/硅合金;含金屬的樹脂;導電的聚酰亞胺②非導電材料樹脂;密封聚酰亞胺(1)低熔點融合技術原理:共熔現(xiàn)象三層結構:①硅層②金膜③金-硅合金(粘合性強、散熱性好、熱穩(wěn)定性好、含較少的雜質(zhì))低熔點粘片四步:①對封裝體加熱,直至金硅合金熔
9、化②把芯片安放在粘片區(qū)③研磨擠壓、加熱形成金-硅合金④冷卻系統(tǒng)(2)樹脂粘貼法方法:使用黏稠的液體樹脂粘合劑