半成品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn).doc

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1、半成品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號YG-QC-002制定部門品保部發(fā)行日期2010-08版本A/0文件版本修訂章節(jié)修訂說明-核準(zhǔn)審核制定第21頁，共21頁1.目　　的：為管制LED固晶、焊線、灌膠、包裝分BIN之半成品品質(zhì)，并將不良情形回饋生產(chǎn)線，保證后續(xù)成品品質(zhì)。2.范　　圍：凡本公司生產(chǎn)之半成品皆適用之。3.權(quán)　　責(zé)：3.1.主辦………………………….品保部3.2.協(xié)辦………………………….生產(chǎn)部4.名詞定義：4.1.MIL-STD-105E………………美軍抽樣計(jì)劃的依據(jù)4.2.AQL………………………….品質(zhì)

2、允收水準(zhǔn)4.3.抽樣檢驗(yàn)……………………..由一批物料中,隨機(jī)抽取一定數(shù)量的樣本,按規(guī)定項(xiàng)目加以檢驗(yàn)或測試報告.5.作業(yè)內(nèi)容：5.1.抽樣依據(jù)、缺點(diǎn)定義及分類：5.1.1.抽樣依據(jù)：采用美軍MIL-STD-105E計(jì)數(shù)抽樣表第Π級一般正常單次檢驗(yàn)水準(zhǔn)抽樣。AQL依本公司或客戶要求。5.1.2.嚴(yán)重缺點(diǎn)（CR）：凡半成品由于不良加工或制造，將會產(chǎn)生對后續(xù)成品品質(zhì)有致命性影響。AQL：IPQC(0.25%)。5.1.3.主要缺點(diǎn)（MA）：凡半成品由于不良加工或制造而造成無法使用或功能不良者。AQL：IPQC

3、(0.65%)。5.1.4.次要缺點(diǎn)（MI）：凡產(chǎn)品在包裝、卷標(biāo)、外觀上有不良或錯誤現(xiàn)象者，及使用功能有輕微瑕疪者。AQL：IPQC(1.0%)。5.2.抽樣作業(yè)5.2.1.依批量查“一般檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃表”決定樣本大小代字。5.2.2.由樣本大小代字查“一般檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃表”得樣本大小(n)。5.2.3.查AQL之列與樣本大小代字之行相交欄，得Ac(允收不良數(shù))與Re(拒收不良數(shù))。5.2.4.抽取樣品加以檢驗(yàn)，所發(fā)現(xiàn)之不良個數(shù)為r，則：r≦Ac判合格；r≧Re判不合格。第21頁，共21頁1.1.1.例：公

4、司購進(jìn)一批物料，批量為3000個，抽樣水準(zhǔn)為一般II級單次正常抽樣，AQL=0.25，試查找抽樣檢驗(yàn)計(jì)劃。1.1.2.根據(jù)批量及AQL值，從抽樣計(jì)劃表查得樣本大小代字為K。1.1.3.從樣本大小代字K與AQL=0.25由抽樣計(jì)劃表查得抽樣檢驗(yàn)計(jì)劃為：(n/Ac，Re)=(200/1，2)即表示抽樣200個進(jìn)行檢驗(yàn)，如不良個數(shù)不超過1個則判合格，如不良個數(shù)超過1個則判拒收。1.2.抽樣計(jì)劃表參閱QR--002《一般檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃表》、（附表）。1.3.檢驗(yàn)時間及檢驗(yàn)步驟：1.3.1.檢驗(yàn)時間：(1).固晶，

5、固好晶片，送進(jìn)烤箱烘烤之前，品管抽檢，每兩小時抽檢一次;送至焊線，品管抽檢焊線，每兩小時抽檢一次;焊線完成，送至封膠站進(jìn)行半成品封裝，品管抽檢，每兩小時抽檢一次，;轉(zhuǎn)至包裝測試，品管抽檢，每兩小時抽檢一次;再轉(zhuǎn)至分BIN，品管抽檢每兩小時抽檢并做10PCS記錄。1.3.2.檢驗(yàn)步驟：(1).核對流程單各項(xiàng)填寫是否完整，正確(型號,姓名,晶片種類等)。(2).將待檢材料放置于顯微鏡下，目視抽檢，依檢驗(yàn)規(guī)格檢查，電測檢查則用測試機(jī)檢驗(yàn)。(3).將不良品用紅色筆做記號。(4).將檢驗(yàn)結(jié)果填在檢驗(yàn)記錄表上。(5

6、).允收在流程單及送檢單/標(biāo)示單上蓋“QCPASS”單，按作業(yè)流程轉(zhuǎn)至下一工站。(6).拒收在送檢單/標(biāo)示單上寫明判退原因，并用紅色筆做記號連流程單及材料退回生產(chǎn)線重工，返修。第21頁，共21頁1.1.檢驗(yàn)項(xiàng)目(參照后面附表)1.1.1.Lamp半成品檢驗(yàn)規(guī)范1)固晶站2)焊線站3)封膠站4)包裝分BIN站第21頁，共21頁1）、固晶站一、固晶位置及區(qū)域說明1.銀膠應(yīng)點(diǎn)在碗底中心位置；2.晶片應(yīng)固在銀膠中心位置。二、固晶規(guī)格說明1.h表示銀膠高度，H表示晶片高度；2.銀膠量：1/3H≤h≤12H3.絕

7、緣膠量:1/4H≤h≤13H第21頁，共21頁一、固晶規(guī)范檢驗(yàn)項(xiàng)目內(nèi)容敘述檢驗(yàn)儀器/方法CRMAMI漏點(diǎn)膠支架點(diǎn)膠區(qū)域未點(diǎn)膠顯微鏡、目視＊漏固支架固晶區(qū)域只點(diǎn)膠未固晶片顯微鏡、目視＊杯壁沾膠碗杯側(cè)面沾有銀漿顯微鏡、目視＊點(diǎn)膠量過多膠量點(diǎn)滿碗杯顯微鏡、目視＊陰陽極沾膠支架陰陽極上沾有銀漿顯微鏡、目視＊第21頁，共21頁檢驗(yàn)項(xiàng)目內(nèi)容敘述檢驗(yàn)儀器/方法CRMAMI晶片沾膠晶片表面沾有銀漿或有污染物顯微鏡、目視＊位置不當(dāng)晶片偏離支架碗杯正中心位置1/4以上或雙電極晶片固反顯微鏡、目視＊晶片沒有固在固晶區(qū)域（針

8、對平頭支架）顯微鏡、目視＊晶片傾斜水平面晶片底部有一邊偏離水平面顯微鏡、目視＊晶片翻倒晶片焊墊沒有朝上或晶片底部朝上而焊墊與銀漿相連顯微鏡、目視＊第21頁，共21頁檢驗(yàn)項(xiàng)目內(nèi)容敘述檢驗(yàn)儀器/方法CRMAMI銀漿量過多銀膠量超過晶片高度的1/2或絕緣膠量超過晶片的1/3顯微鏡、目視＊銀漿量過少銀膠量低于晶片高度的1/3或絕緣膠量低于晶片的1/4顯微鏡、目視＊焊墊脫落晶片焊墊脫落，超過焊墊面積的1/4以上顯微鏡、目視＊支架變形支架陰陽極錯位，不