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1、烤瓷牙的種類烤瓷牙的種類1、鎳鉻合金烤瓷牙也叫賤金屬烤瓷牙,是目前國內(nèi)做的最多的烤瓷牙,鎳鉻合金耐腐蝕、價(jià)格低廉,醫(yī)用鎳鎘合金,主要由鎳、鉻及其他少量對人體無害的金屬元素組成;其中鎳77.95%、鉻12.60%。鎳元素的化學(xué)性質(zhì)相對來說不是特別穩(wěn)定,在復(fù)雜的口腔環(huán)境中,暴露在口腔中的金屬部分會(huì)慢慢的分解,并釋放黑色的氧化物,導(dǎo)致局部牙齦組織染色,部分比較敏感的人群會(huì)形成牙齦灰線,就是因?yàn)檫@類瓷冠中金屬離子容易析出,析出后口腔中有時(shí)還會(huì)出現(xiàn)淡淡的金屬異味,同時(shí)析出的金屬離子也會(huì)沉積于頸緣牙齦,使牙齦變黑,這
2、就是為什么鎳鉻合金烤瓷鑲復(fù)者的牙齒牙頸緣容易發(fā)黑、影響美觀的原因。2、鈦合金烤瓷牙純鈦合金的生物相容性比較好、韌性好、色澤好、強(qiáng)度也高、比重較輕,同時(shí)具有優(yōu)異的瓷牙結(jié)合強(qiáng)度,可延長瓷牙的使用壽命,而且在口腔里穩(wěn)定性比較高、不易氧化,這樣對牙齦的刺激性小,可以避免牙齦染色和牙齦出血等刺激癥狀的現(xiàn)象,它的價(jià)格介于非貴金屬和貴金屬之間,價(jià)格相對較普通烤瓷牙要貴一些。但是目前臨床上講的鈦合金烤瓷牙中鈦金屬含量其實(shí)并不高,牙科醫(yī)用鈦合絕大部分成分仍是鎳、鉻,鉬及其它金屬成分,其中鈦4~6%、鎳60~76%、鉻12~
3、21%。3、鍍金內(nèi)冠烤瓷牙所謂鍍金一般就是在普通賤金屬內(nèi)冠(鎳鉻或者鈷鉻)與人體組織相接觸的一側(cè)鍍一層純黃金,目的是為了降低賤金屬的游離和對口腔內(nèi)組織及牙體本身的刺激。黃金是比較理想的修復(fù)材料之一,與人體組織的相容性較好、刺激性小,一般不會(huì)出現(xiàn)齦緣發(fā)炎現(xiàn)象。但是黃金價(jià)格昂貴,所以出現(xiàn)了這種鍍金的折中方案,就是想辦法以低廉的價(jià)格達(dá)到和黃金烤瓷牙相仿或相似的效果。2烤瓷牙的種類在鎳鉻烤瓷的基礎(chǔ)上,在與牙體、牙齦接觸部位,比如烤瓷牙的內(nèi)冠表面,通過電鍍精密加工,使其內(nèi)冠表面增加一層含量99.9%、24K純黃金鍍
4、層,封閉普通金屬表面,杜絕有害金屬離子析出,以隔離賤金屬和人體的接觸,有效避免了對人體組織的侵害,從而杜絕牙齦發(fā)炎和頸緣發(fā)黑的發(fā)生幾率,防止牙齦黑線的不良反應(yīng)。鍍金的烤瓷牙是在賤金屬的表面鍍上一層純金,這層黃金畢竟是鍍上去的,而且鍍金層很薄,所以長期的效果不是很好。鍍金內(nèi)冠烤瓷牙價(jià)格比較適中,每單位收費(fèi)在600元~900元之間。4、鈷鉻內(nèi)冠烤瓷牙鈷鉻內(nèi)冠烤瓷牙:鈷鉻合金最早應(yīng)用于移植醫(yī)療,用做髖關(guān)節(jié)之用,這也是其生物相容性的一個(gè)標(biāo)志,沿用至今。早在1929年應(yīng)用于牙科醫(yī)療方面,最初用于可摘局部義齒修復(fù)。鈷
5、鉻合金:主要是針對Ni和鈹?shù)亩拘远兄频?,其鈷含量較鎳基合金高,一般為25%,還有如Cu、W、Nb、Si、Ru、Al和Mo等元素。因?yàn)槠浜捔枯^高,其耐腐蝕性能較鎳基合金好,并且金瓷結(jié)合良好,又因?yàn)楹休^多鉻,其熔點(diǎn)較高,合金與包埋料間存在一定反應(yīng)。烤瓷用鈷鉻合金,其彈性模量為213745Mpa,硬度為335維氏硬度。更高的彈性系數(shù),舒適度高,在患者口內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)合金變色現(xiàn)象。是比較理想的鎳鉻合金烤瓷牙替代品。價(jià)格800-1200左右。5、貴金屬烤瓷牙也叫金合金內(nèi)冠烤瓷牙,采用進(jìn)口的醫(yī)用金合金,其中金含量8
6、2%~90%左右,是目前最優(yōu)良的烤瓷修復(fù)體,黃金穩(wěn)定的金屬特性決定了它比較好的生物相容性。上面講過了黃金屬于惰性金屬,理化性能很穩(wěn)定,是比較理想的修復(fù)材料之一,與人體組織的相容性非常好,一般不會(huì)出現(xiàn)刺激癥狀引發(fā)牙齦緣的炎癥、和齦邊緣變黑問題。金合金烤瓷牙的色澤比較好,形態(tài)上也更接近正常的牙齒色澤,有著良好的美學(xué)效果,頸緣部分形態(tài)好,比較自然,更符合人類自然牙本質(zhì)顏色,同時(shí)金瓷結(jié)合牢固,耐腐蝕性比較強(qiáng),是目前比較理想的修復(fù)烤瓷牙冠,也是醫(yī)生愿意向患者推薦的一種修復(fù)方式。目前每顆貴金屬烤瓷牙的費(fèi)用每單位在20
7、00元~4000元之間。3主要公式(2.5)?E為雜質(zhì)在SiO2中的擴(kuò)散激活能;D0為表觀擴(kuò)散系數(shù)。(2.8)xmin對應(yīng)用作掩蔽的SiO2層的最小厚度;t為雜質(zhì)在硅中達(dá)到擴(kuò)散深度所需時(shí)間.x=0.44x0氧化層厚度x0與消耗掉的硅厚度x的關(guān)系(2.11a)7x02+Ax0=B(t+?)(2.28)SiO2的生長厚度與時(shí)間的關(guān)系式(2.29)(2.30)(2.31)(2.32)線性氧化規(guī)律(2.33)(2.34)拋物型氧化規(guī)律x02=B(t+?)(2.35)8習(xí)題參考答案1.計(jì)算在120分鐘內(nèi),920℃水
8、汽氧化過程中生長的二氧化硅層的厚度。假定硅片在初始狀態(tài)時(shí)已有1000?的氧化層,參數(shù)從下表中查找。硅的氧化系數(shù)9按照表中數(shù)據(jù),在920℃下,A=0.5um,B=0.203um2/h,將值代入式(2.31)得由式(2.32)得102.在某個(gè)雙極工藝中,為了隔離晶體管,需要生長1μm厚度的場氧化層。由于考慮到雜質(zhì)擴(kuò)散和堆垛層錯(cuò)的形成,氧化必須在1050℃下進(jìn)行。如果工藝是在一個(gè)大氣壓下的濕氧氣氛中進(jìn)行,計(jì)算所需的氧化時(shí)間。假定拋物