資源描述：
《簡單記憶混沌系統(tǒng)的動力學分析與電路實現(xiàn).pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第46卷第l期四川大學學報(工程科學版)Vo1．46No．12014年1月JOURNALOFSICHUANUNIVERSITY(ENGINEERINGSCIENCEEDITION)Jan．2014文章編號：1009—3087(2014)01-0134-06簡單記憶混沌系統(tǒng)的動力學分析與電路實現(xiàn)武花干，包伯成，馮霏(1．南京理工大學電子工程系，江蘇南京210094；2．常州大學信息科學與工程學院，江蘇常州213164)摘要：為了研究記憶混沌系統(tǒng)的動力學特性，提出了一個含廣義記憶元件的簡單3維自治混沌系統(tǒng)。分析了混沌記憶系統(tǒng)的記
2、憶效應和混沌特性，進行了電路設計和相應的實驗驗證；并在平衡點及穩(wěn)定性分析的基礎上，討論了記憶混沌系統(tǒng)隨參數(shù)變化的動力學行為。結(jié)果表明，與基于憶阻器的混沌電路不同，新提出的系統(tǒng)有一個確定的平衡點，其動力學行為僅依賴于系統(tǒng)控制參數(shù)，存在分岔、混沌和陣發(fā)混沌等復雜非線性現(xiàn)象。關(guān)鍵詞：記憶元件；記憶混沌系統(tǒng)；動力學；電路實現(xiàn)中圖分類號：TN271．6，TP918文獻標志碼：ADynamicalAnalysisandCircuitRealizationofSimpleMemoryChaoticSystemHua—gan，BAOBo—c
3、heng”FENGFei，(1．Dept．ofElectronicEng．，NanjingUniv．ofSci．a(chǎn)ndTechno1．，Naing210094，China；2．SchoolofInfo．Sci．a(chǎn)ndEng．，ChangzhouUniv．，Changzhou213164，China)Abstract：Toinvestigatethedynamicsofmemorychaoticsystems，asimplethree—dimensionalautonomouschaoticsystemcontainingag
4、eneralizedmemoryelementwasproposed．Thememoryeffectsandchaoticcharacteristicsofthememorychaoticsystemwereanalyzed，andcircuitdesignandcorrespondingexperimentalverificationswereperformed．Basedontheanalysisoftheequilibriumpointandstabili-ty，thedynamicalbehaviorsoftheme
5、morychaoticsystemwiththevariationsoftheparameterwerediscussed．Theresuhsindicatedthat，differentfrommemristorbasedchaoticcircuits，thenewproposedsystemhasuniqueequilibriumpoint，itsdynamicalbehaviorsonlyde—pendonthesystemcontrolparameterandhavecomplexnonlinearphenomena
6、，suchasbifurcation，chaos，andintermittencychaos．Keywords：memoryelement；memorychaoticsystem；dynamics；circuitrealization作為3大電路基礎元件的電阻、電容和電感，是驗室的Strukov等在《Nature~上發(fā)表了一篇關(guān)于通過電路基本變量電流、電壓、電荷以及磁通量之間憶阻器物理實現(xiàn)性的論文后，憶阻器才真正地進入的相互關(guān)系給出的定義。而基于電路基本變量間的到人們的視線中，關(guān)于憶阻器的研究工作全方位地這種關(guān)系組合完備性的
7、考慮，1971年Chua?預測迅速展開。已有的研究成果表明，關(guān)于憶阻器的研了描述電荷與磁通關(guān)系元件——“憶阻器”的存在究工作主要集中在3個方面：一是物理實現(xiàn)方式的性，并在1976年與KangJ一起建立了憶阻元器件研究I4J，選用半導體納米材料，實現(xiàn)不同特性的憶和憶阻系統(tǒng)理論，同時從動力學角度對基本構(gòu)成電阻器；二是基本電路特性的研究，如電路建模J、伏路進行了研究。由于現(xiàn)實中沒有發(fā)現(xiàn)這類器件，長安特性分析¨-2,6]以及等效電路實現(xiàn)卜引等；三是潛期以來，關(guān)于憶阻器及憶阻系統(tǒng)的研究并沒有引起在應用的發(fā)掘，如數(shù)據(jù)存儲I9等?？茖W界和
8、工程界的重視。直到2008年5月，惠普實憶阻器是一種具有記憶功能的非線性電阻元件，可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量，其阻值大小受到流收稿日期：2013—05—28經(jīng)的電流大小控制。2009年，Ventra和Chua叫在基金項目：國家自然科學基金資助項目(51277017；61i01193)；江蘇省
